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Diodi di commutazione
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Tensione inversa: 650 V
... Ambito di applicazione - Correzione del fattore di potenza / Inverter solari / Gruppi di continuità / Convertitori DC-DC Caratteristiche - Design del chip di seconda generazione Numero di circuiti - 1 Connessione interna - Singola Prodotti ...
Tensione inversa: 600 V
... necessità di circuiti snubber Riduce le dimensioni e il numero dei componenti del filtro EMI Consente una commutazione estremamente rapida Applicazioni Diodo di aumento della correzione del fattore di ...
Power Integrations
... 282x è il dispositivo completo più consistente e migliore disponibile, e trova applicazioni di miscelazione, rilevamento, commutazione, campionamento, clamping e wave shaping a frequenze fino a 6 GHz. Il pacchetto MiniPak ...
Broadcom
Tensione inversa: 650 V
... Tempo di recupero più breve, per consentire la commutazione ad alta velocità. CARATTERISTICHE: Ridotta dipendenza dalla temperatura Possibilità di commutazione ad alta velocità Elevata ...
ROHM Semiconductor
Tensione inversa: 70 V
... DESCRIZIONE: Il SEMICONDUTTORE CENTRALE CMDD6263 è un diodo di silicio Schottky ad alta tensione, a basso VF, in un pacchetto a montaggio superficiale, progettato per applicazioni di commutazione rapida ...
Central Semiconductor
Diodes Incorporated
Tensione diretta: 1 V - 2,5 V
Tensione inversa: 75 V - 100 V
Tensione diretta: 11 V - 22 V
Tensione inversa: 20 kV - 90 kV
... ※Caratteristiche: Caratteristiche di commutazione ad alta velocità, TRR 50-150ns. Basse perdite, resistente alle sovratensioni, resistente agli urti. Ottime caratteristiche di protezione contro la caduta ...
Anshan Suly Electronics Co., Ltd.
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