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{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Corrente: 25 mA
Tensione: 13 V
... CARATTERISTICHE - Alimentazione DC-DC isolata incorporata; Alimentazione singola topologia di azionamento dell'alimentazione - Alta tensione di isolamento di 3750VAC - Frequenza del segnale d'ingresso fino a 20kHz - Circuito di guasto ...
Corrente: 3.000, 1.300, 2.000 A
Tensione: 4.500, 5.200 V
... press-pack e diodi bipolari a transistor bipolari a gate isolati ad alta potenza (IGBT) in un alloggiamento modulare avanzato che garantisce una pressione uniforme del chip in pile di ...
Tensione: 1.700, 2.500, 4.500 V
... Progettati utilizzando la tecnologia proprietaria thin-wafer XPT™ e un processo IGBT all'avanguardia, questi dispositivi presentano qualità quali una ridotta resistenza termica, una bassa corrente di coda, una bassa perdita ...
Corrente: 600 A
Tensione: 1.200 V
... I moduli IGBT di Littelfuse offrono l'elevata efficienza e la velocità di commutazione della moderna tecnologia IGBT in un formato robusto e flessibile. Utilizzati per applicazioni di controllo dell'alimentazione, ...
... Toshiba offre un'ampia gamma di transistor bipolari adatti a varie applicazioni, tra cui dispositivi a radiofrequenza (RF) e di alimentazione. ...
Corrente: 28 A
Tensione: 650 V
... L'IGBT a commutazione forte TRENCHSTOP™ 5 S5 in un contenitore TO-220 a ingombro ridotto è destinato ad applicazioni che prevedono la commutazione tra 10 kHz e 40 kHz per offrire un'elevata densità di corrente, un'alta efficienza, cicli ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensione: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
I moduli di potenza IGBT di Hitachi Energy sono disponibili in versioni da 1.700 a 6.500 volt, come singolo IGBT, IGBT doppio/diramazione di fase (phase-leg), chopper e doppio diodo. I moduli HiPak IGBT ...
Corrente: 15 A
Tensione: 140 V
... Transistor di potenza bipolare NPN I modelli MJ15001 e MJ15002 sono transistor di potenza progettati per l'audio ad alta potenza, i posizionatori di testine di dischi e altre applicazioni ...
Fairchild Semiconductor
Corrente: 20 A
Tensione: 650 V
... Perdita di commutazione ridotta, per consentire una commutazione ad alta velocità . (pacchetto a 2 pin) Qualificato AEC-Q101 Tempo di recupero più breve Possibilità di commutazione ad alta velocità Ridotta dipendenza dalla temperatura ...
ROHM Semiconductor
... I moduli di potenza intelligente SLLIMM appartengono alla famiglia degli IPM che permettono la combinazione di chip al silicio ottimizzati e si integrano con 3 blocchi di inverter principali: stadio di potenza (IGBT robusti a corto circuito ...
STMicroelectronics
Tensione: 60 V
... DESCRIZIONE: Il SEMICONDUTTORE CENTRALE BCV47 è un transistor NPN Darlington in silicio NPN prodotto con il processo planare epitassiale, stampato epossidico in un pacchetto a montaggio superficiale, progettato per applicazioni ...
Central Semiconductor
Corrente: 0,8 A
Tensione: 50 V
... Guadagno di corrente DC hFE Max.:400 Guadagno di corrente DC hFE Min.:160 Descrizione: TO-92, 50V, 0.8A, 0.8A, NPN transistor bipolare IC (A):0.8 PD (W): 0.625 Pacchetto: TO-92 Polarità:NPN Stato:Attivo TJ ...
SEMIKRON
Corrente: 10 A - 1.600 A
Tensione: 600 V - 1.700 V
... Greegoo offre moduli IGBT (insulated-gate bipolar transistor) in diverse topologie, correnti e tensioni nominali. Da 15A a 1600A in classi di tensione da 600V a 1700V, i moduli IGBT ...
Tensione: 20, 50 V
... MOSFET a canale N e transistor NPN in un unico pacchetto Bassa resistenza al fuoco Tensione di soglia di gate molto bassa, 1,0 V max Bassa capacità di ingresso Velocità di commutazione veloce Basse perdite di ingresso/uscita ...
Diodes Incorporated
Corrente: 25 mA
Tensione: 20 V
... Tensione emettitore collettore - Vceo 20 V Corrente di collettore CC - Ic - 25 mA Polarità - pol - NPN Dissipazione di potenza - Ptot - 0,200 W Temperatura di giunzione - Tjmax - 150 °C Guadagno di corrente CC - hfe - 85 - VcE - 10 V ...
Diotec
Corrente: 10, 25 A
Tensione: 1.200 V
... Caratteristiche Tecnologia IGBT -Trench + Filed Stop IGBT -Capacità di cortocircuito di 10ps -Versât) con coefficiente di temperatura positivo -Caso a bassa induttanza -Recupero inverso rapido e morbido ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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