Transistori a valanga

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transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPD900P06NM

Corrente: -16,4 A
Tensione: -60 V

... applicazioni a media e bassa potenza. La facilità di interfacciamento con l'MCU, la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe lo rendono adatto ad applicazioni esigenti di alta qualità. È disponibile a livello ...

Altri prodotti
Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
ISP75DP06LM

Tensione: -60 V

... potenza. La facilità di interfacciamento con l'unità di microcontrollo (MCU), la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe rendono i MOSFET OptiMOS™ a canale P di Infineon adatti ad applicazioni esigenti ...

Altri prodotti
Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPD25DP06NM

Corrente: -6,5 A
Tensione: -60 V

... applicazioni a media e bassa potenza. La facilità di interfacciamento con l'MCU, la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe lo rendono adatto ad applicazioni esigenti di alta qualità. È disponibile a livello ...

Altri prodotti
Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
ISP25DP06LM

Corrente: -1,9 A
Tensione: -60 V

... potenza. La facilità di interfacciamento con l'unità di microcontrollo (MCU), la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe rendono i MOSFET OptiMOS™ a canale P di Infineon adatti ad applicazioni esigenti ...

Altri prodotti
Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
ISP12DP06NM

... potenza. La facilità di interfacciamento con l'unità di microcontrollo (MCU), la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe rendono i MOSFET OptiMOS™ a canale P di Infineon adatti ad applicazioni esigenti ...

Altri prodotti
Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPB110P06LM

Corrente: -100 A
Tensione: -60 V

... applicazioni a media e bassa potenza. La facilità di interfacciamento con l'MCU, la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe lo rendono adatto ad applicazioni esigenti di alta qualità. È disponibile a livello ...

Altri prodotti
Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
ISS55EP06LM

Corrente: -0,18 A
Tensione: -60 V

... potenza. La facilità di interfacciamento con l'unità di microcontrollo (MCU), la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe rendono i MOSFET OptiMOS™ a canale P di Infineon adatti ad applicazioni esigenti ...

Altri prodotti
Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
ISS17EP06LM

Corrente: -0,3 A
Tensione: -60 V

... potenza. La facilità di interfacciamento con l'unità di microcontrollo (MCU), la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe rendono i MOSFET OptiMOS™ a canale P di Infineon adatti ad applicazioni esigenti ...

Altri prodotti
Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPD25DP06LM

Corrente: -6,5 A
Tensione: -60 V

... applicazioni a media e bassa potenza. La facilità di interfacciamento con l'MCU, la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe lo rendono adatto ad applicazioni esigenti di alta qualità. È disponibile a livello ...

Altri prodotti
Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
ISP25DP06NM

Corrente: -1,9 A
Tensione: -60 V

... potenza. La facilità di interfacciamento con l'unità di microcontrollo (MCU), la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe rendono i MOSFET OptiMOS™ a canale P di Infineon adatti ad applicazioni esigenti ...

Altri prodotti
Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
DID3A2N65

Corrente: 3,2 A
Tensione: 650 V

... Tecnologia di trincea avanzata Bassa resistenza di stato Tempi di commutazione rapidi Bassa carica del gate Classificato per valanghe Conforme alla direttiva RoHS (es. 7a), REACH, Conflict Minerals l) ...

transistor MOSFET
transistor MOSFET
DIJ series

Corrente: 2,3, 3,2 mA
Tensione: 650 V

... Tecnologia di trincea avanzata Bassa resistenza di stato Tempi di commutazione rapidi Bassa carica del gate Classificato per valanghe Conforme alla direttiva RoHS (es. 7a), REACH, Conflict Minerals l) ...

transistor MOSFET
transistor MOSFET
DIT050N06

Corrente: 50, 20 A
Tensione: 60 V

... Tecnologia di scavo avanzata Bassa resistenza di stato Tempi di commutazione rapidi Bassa carica del gate Classificato per valanghe Conforme a RoHS, REACH, Conflict Minerals *) ...

transistor bipolare
transistor bipolare
FMMT, ZTX series

Tensione: 50, 100 V

... Il FMMT413 è un transistor bipolare planare bipolare in silicio NPN ottimizzato per il funzionamento in modalità valanga. Lo stretto controllo di processo e il confezionamento a bassa induttanza si combinano ...

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