Transistor MOSFET IPB60R045P7
di potenzadi commutazione

transistor MOSFET
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Caratteristiche

Tipo
MOSFET
Tecnologia
di potenza, di commutazione
Corrente

61 A

Tensione

600 V

Descrizione

Il MOSFET a supergiunzione CoolMOS™ P7 è il successore della serie CoolMOS™ P6 da 600V. Continua a bilanciare l'esigenza di un'elevata efficienza con la facilità d'uso nel processo di progettazione. Il RonxA migliore della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (QG) della piattaforma CoolMOS™ di settima generazione ne garantiscono l'elevata efficienza. Riassunto delle caratteristiche: Efficienza Il P7 consente un'eccellente FOM RDS(on)xEoss e RDS(on)xQG Facilità d'uso Diodo ESD integrato da 180mN e oltre RDS(on)s Resistenza di gate integrata RG Corpo robusto del diodo Ampia gamma di prodotti in pacchetti a foro passante e a montaggio superficiale Sono disponibili componenti di grado standard e industriale Vantaggi: Efficienza Gli eccellenti FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss consentono un'efficienza superiore Facilità d'uso Facilità d'uso negli ambienti di produzione grazie all'eliminazione dei guasti ESD La RG integrata riduce la sensibilità alle oscillazioni del MOSFET Il MOSFET è adatto a topologie di commutazione sia rigide che risonanti, come PFC e LLC Eccellente robustezza durante la commutazione dura del diodo di corpo vista nella topologia LLC Adatto a un'ampia gamma di applicazioni finali e potenze di uscita Disponibilità di componenti adatti ad applicazioni consumer e industriali Applicazioni potenziali Alimentazione TV SMPS industriali Server Telecomunicazioni Illuminazione

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Cataloghi

IPB60R045P7
IPB60R045P7
14 Pagine

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* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.