Transistor MOSFET BSC021N08NS5

di potenzaaudio

I MOSFET BiC OptiMOS™ di Infineon in package SuperSO8 ampliano il portafoglio di prodotti OptiMOS™ 3 e 5 e consentono una maggiore densità di potenza oltre a una migliore robustezza, rispondendo all'esigenza di ridurre i costi di sistema e aumentare le prestazioni. La bassa carica di recupero inversa (Qrr) migliora l'affidabilità del sistema grazie a una significativa riduzione dell'overshoot di tensione, che riduce al minimo la necessità di circuiti di snubber, con conseguenti minori costi e sforzi di progettazione. Caratteristiche principali L'RDS(on) più basso consente di ottenere la massima densità di potenza ed efficienza Temperatura di esercizio più elevata, fino a 175°C, per una maggiore affidabilità Basso RthJC per un eccellente comportamento termico Minore carica di recupero inversa (Qrr) Vantaggi principali Temperatura a pieno carico più bassa Minore parallelismo Riduzione dell'overshoot Maggiore densità di potenza del sistema Dimensioni ridotte Riduzione dei costi del sistema Riduzione dei costi e degli sforzi di progettazione Applicazioni target Server Telecomunicazioni Strumenti di potenza Azionamenti a bassa tensione Applicazioni audio di classe D