Transistor MOSFET IPD25DP06NM
di potenzadi commutazionea valanga

transistor MOSFET
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Caratteristiche

Tipo
MOSFET
Tecnologia
di potenza, di commutazione
Altre caratteristiche
a valanga
Corrente

-6,5 A

Tensione

-60 V

Descrizione

I MOSFET OptiMOS™ a canale P da 60 V in contenitore DPAK rappresentano la nuova tecnologia destinata alle applicazioni di gestione delle batterie, di commutazione dei carichi e di protezione dall'inversione di polarità. Il vantaggio principale di un dispositivo a canale P è la riduzione della complessità di progettazione nelle applicazioni a media e bassa potenza. La facilità di interfacciamento con l'MCU, la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe lo rendono adatto ad applicazioni esigenti di alta qualità. È disponibile a livello normale e logico, con un'ampia gamma di RDS(on) e migliora l'efficienza a bassi carichi grazie al basso Qg. Riassunto delle caratteristiche: Ampio intervallo RDS(on) Disponibilità a livello normale e logico Vantaggi: Facile interfaccia con l'MCU Maggiore efficienza a bassi carichi grazie al basso Qg Commutazione rapida Robustezza da valanga Applicazioni potenziali Batterie Consumatori Automazione industriale Azionamenti industriali

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