Transistor MOSFET ISP12DP06NM
di potenzadi commutazionea valanga

transistor MOSFET
transistor MOSFET
Aggiungi ai preferiti
Confronta con altri prodotti
 

Caratteristiche

Tipo
MOSFET
Tecnologia
di potenza, di commutazione
Altre caratteristiche
a valanga

Descrizione

I MOSFET OptiMOS™ a canale P da 60 V in contenitore SOT-223 sono ideali per le applicazioni di commutazione del carico, gestione delle batterie e protezione dall'inversione di polarità. Il vantaggio principale dei MOSFET OptiMOS™ a canale P è la semplificazione della complessità progettuale nelle applicazioni a media e bassa potenza. La facilità di interfacciamento con l'unità di microcontrollo (MCU), la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe rendono i MOSFET OptiMOS™ a canale P di Infineon adatti ad applicazioni esigenti di alta qualità. I prodotti migliorano l'efficienza a bassi carichi grazie al basso Qg. e sono disponibili a livello normale e logico con un'ampia gamma di RDS(on). Riassunto delle caratteristiche: Ampio intervallo RDS(on) Disponibilità a livello logico Vantaggi: Facile interfaccia con l'MCU Maggiore efficienza a bassi carichi grazie al basso Qg Commutazione rapida Robustezza da valanga Applicazioni target: Batteria Consumatori Automazione industriale Azionamenti industriali

---

Cataloghi

Nessun catalogo è disponibile per questo prodotto.

Vedi tutti i cataloghi di Infineon Technologies AG

Altri prodotti Infineon Technologies AG

Power MOSFET

* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.