I MOSFET BiC OptiMOS™ di Infineon in package SuperSO8 ampliano il portafoglio di prodotti OptiMOS™ 3 e 5 e consentono una maggiore densità di potenza oltre a una migliore robustezza, rispondendo all'esigenza di ridurre i costi di sistema e aumentare le prestazioni.
La bassa carica di recupero inversa (Qrr) migliora l'affidabilità del sistema grazie a una significativa riduzione dell'overshoot di tensione, che riduce al minimo la necessità di circuiti di snubber, con conseguenti minori costi e sforzi di progettazione.
Caratteristiche principali
Il più basso RDS(on) consente la massima densità di potenza ed efficienza
Temperatura di esercizio più elevata, fino a 175°C, per una maggiore affidabilità
Basso RthJC per un eccellente comportamento termico
Minore carica di recupero inversa (Qrr)
Vantaggi principali
Temperatura a pieno carico più bassa
Minore parallelismo
Riduzione dell'overshoot
Maggiore densità di potenza del sistema
Dimensioni ridotte
Riduzione dei costi del sistema
Riduzione dei costi e degli sforzi di progettazione
Applicazioni target
Server
Telecomunicazioni
Strumenti di potenza
Azionamenti a bassa tensione
Applicazioni audio di classe D
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