Transistor IGBT IKP28N65ES5

di potenzadi commutazione

L'IGBT a commutazione forte TRENCHSTOP™ 5 S5 in un contenitore TO-220 a ingombro ridotto è destinato ad applicazioni che prevedono la commutazione tra 10 kHz e 40 kHz per offrire un'elevata densità di corrente, un'alta efficienza, cicli più rapidi di time-to-market, riduzione della complessità di progettazione del circuito e ottimizzazione dei costi della distinta base. Riepilogo delle caratteristiche VCEsat molto bassa di 1,5 V a 25°C corrente d'impulso 4 volte Ic (Tc 100°C) Caratteristiche di caduta morbida della corrente senza corrente di coda Sovraccarico di tensione simmetrico e ridotto Tensione di gate sotto controllo (nessuna oscillazione). Nessun rischio di accensione indesiderata del dispositivo e nessuna necessità di clampaggio del gate Temperatura massima di giunzione Tvj = 175°C Qualificato secondo gli standard JEDEC Vantaggi Massima densità di potenza in un ingombro TO-220 Non sono necessari circuiti di bloccaggio del picco VCE Non sono necessari componenti di bloccaggio del gate Buon comportamento EMI Eccellente per il parallelismo Applicazioni Ricarica EV Fotovoltaico Gruppi di continuità (UPS)