Ricottura acciaio RLA-3100-V

per grandi serie

Permette all'elaborazione di ricottura del contatto e del substrato di GaN. Sostiene i wafer a 6 pollici e permette all'attivazione ed all'ossidazione in atmosfere della carico-serratura environments/N2 di vuoto (LP). Caratteristiche Temperatura di funzionamento massima: 1,200°C Sostiene una vasta gamma di dimensioni del wafer fino a 6 pollici. Un meccanismo automatico della sostituzione del wafer fornisce il trasferimento della cassetta--cassetta. Il supporto di vuoto migliora le caratteristiche di tempera. Il supporto della carico-serratura del N2 permette al tempo complessivo rapido. Substrati di GaN di processo della latta.