Circuito integrato per applicazioni specifiche a base di GaAs (ASIC)
Triquint Semiconductor
* 4-20 gigahertz di alto isolamento SPDT
* perdita di inserzione tipica di dB <0.9
* isolamento di termine nominale di dB 35
* perdita di ritorno tipica di dB 12
* Rete diagonale del Su-Circuito integrato
* CC ostruita agli orificii di rf
* Dimensioni del circuito integrato: 2.24 x 1.63 x 0.10 millimetri (0.087 x 0.063 x 0.004 dentro)
