Negli ultimi anni, l'elettronica di potenza ha avuto un'influenza decisiva sulla tecnologia di generazione, distribuzione e conversione dell'energia elettrica. I moderni semiconduttori consentono di controllare e convertire l'energia elettrica in modo rapido e sicuro con basse perdite. I fattori chiave per il progresso in questo campo sono i semiconduttori di potenza a spegnimento come gli IGBT (transistor bipolari a gate isolato), i MOSFET (transistor ad effetto di campo a semiconduttore in ossido metallico) e i GTO (tiristori a gate turn-off). I prodotti VAC contribuiscono in modo significativo al mantenimento dell'efficienza e della sicurezza nella commutazione dei semiconduttori e nella trasmissione di potenza a basse perdite.
Frequenze di commutazione più elevate, tensioni di blocco più elevate e potenza di commutazione influenzano il modo in cui un semiconduttore viene attivato e controllato per consentire una commutazione sicura e semplice. I trasformatori di azionamento assicurano la separazione galvanica e forniscono anche il segnale di commutazione e/o l'energia per il circuito di azionamento dei semiconduttori.
I trasformatori devono soddisfare una serie di requisiti
- Elevata resistenza di isolamento
- Bassa capacità di accoppiamento per un'elevata resistenza alle interferenze
- Design compatto
- Bassa induttanza di perdita per un'elevata precisione dell'impulso
- Trasmissione della potenza di commutazione
- Ampio range di temperatura di esercizio (ad es. da -40 °C a +105 °C)
- Norme nazionali e internazionali, ad es. EN 50178, IEC 61800, UL508, IEC 62109, UL1741
Proprietà del trasformatore:
- Fino a 1200 V CC per SMD; fino a 8,5 kVrms per PTH
- Basso numero di giri
- Soluzioni SMD disponibili
- Minore numero di giri; elevata permeabilità
- Tipicamente da 2 a 20 watt
- Bassa e lineare variazione di permeabilità alla temperatura
- Disegni e modelli secondo le norme pertinenti, proprietà verificate da ispezioni e prove di tipo
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