Diodi a commutazione

Tensione diretta: 600 V
Tensione inversa: 600 V

... MOSFET Super Junction di Central, tra cui il CDMSJ22029-650 e altri. Questi raddrizzatori sono ideali per le applicazioni di commutazione ad alta corrente e sono caratterizzati da una velocità molto elevata, con un trr ...

Tensione diretta: 650 V
Tensione inversa: 650 V

... punto di vista energetico grazie alle basse perdite totali di conduzione e alle minime variazioni delle caratteristiche di commutazione in funzione della temperatura. i dispositivi da 650 V sono disponibili nelle opzioni ...

Tensione inversa: 85 V - 250 V

... segnale, raddrizzamento, commutazione (ad alta velocità) Suffisso -C: Grado commerciale Nessun suffisso: Grado industriale Suffisso -Q: Conforme ad AEC-Q101*) Suffisso -AQ: conforme a AEC-Q101 x) Caratteristiche Velocità ...

Tensione diretta: 1,2, 1,8 V
Tensione inversa: 400 V - 1.000 V

... ENERGITM nella struttura a perno, è un dispositivo a semiconduttore sostitutivo, analogico, alternativo ed equivalente per il diodo SKN 2F50/04 Semikron. Corrente media di andata IF(AV) – 50 ampere, tensione inversa di ...

Tensione diretta: 1,1 V
Tensione inversa: 1.600 V

... Il diodo a recupero rapido ADF451 AS ENERGITM è un dispositivo a semiconduttore sostitutivo, analogico, alternativo ed equivalente per il diodo a recupero rapido DF451 Dynex Semiconductor. Corrente media ...