Pirometro per materiali riflettenti UV 400, UVR 400

senza monitorRS485stazionario

Misura della temperatura superficiale del wafer e della riflettanza per l'epitassia basata sul GaN, da 650 a 1300°C I pirometri UV 400 e UVR 400 e UVR 400 di Advanced Energy misurano direttamente la temperatura superficiale dei wafer invece della tradizionale temperatura di susceptor/pocket. -L'ampio intervallo di temperatura (da 650 a 1300°C) consente di coprire sia la crescita del tampone principale che la crescita di MQW -Misurare lo spessore di deposizione con il riflettometro aggiuntivo a 635 nm sull'UVR 400 -Emissività, trasmittanza e sottocampo regolabili Panoramica I pirometri UV 400 e UVR 400 di Advanced Energy misurano direttamente la temperatura superficiale dei wafer. Questo metodo migliorato consente un controllo più accurato della temperatura dei wafer, con conseguente miglioramento della resa. L'UVR 400 include un ulteriore riflettometro a 635 nm con velocità di misura di 0,5 kHz. In questo modo è possibile misurare lo spessore della deposizione. Questi sistemi stabiliscono un nuovo standard per i processi di produzione dei LED. I risultati mostrano una correlazione affidabile tra la temperatura di processo e la lunghezza d'onda del prodotto finale. Vantaggi -Miglioramento del rendimento grazie all'accurata misurazione della temperatura vera e propria dei wafer -Misurare la temperatura direttamente sullo strato di GaN utilizzando la strumentazione per la misurazione della lunghezza d'onda UV -Catturare misure di riflettanza in tempo reale utilizzando una sorgente di luce pulsante veloce e veloce -Prevenire l'oscillazione della temperatura dei residui come si vede nei pirometri con compensazione dell'emissività NIR -Impedire l'asimmetria dei dati dovuta al campionamento ritardato (nessuna otturatore acceso e spento) Caratteristiche -Temperatura affidabile del wafer con correlazione di lunghezza d'onda PL -Disponibili uscite analogiche e RS485 con interfacce di protocollo UPP -Sottocampo regolabile all'interno del campo di temperatura -Il dispositivo resiste ad un'atmosfera di azoto e ad un vuoto (< 10 mbar)