MOSFET ad alta velocità

per applicazioni automobilisticheSiCresistenza alta tensione

Panoramica
I MOSFET in carburo di silicio (SiC) mSiC® consentono frequenze di commutazione più elevate e una maggiore efficienza del dispositivo, riducendo le dimensioni dei componenti, supportando tensioni di blocco superiori e offrendo elevata capacità in avalanche. Progettati per sistemi di potenza da medio ad alto voltaggio, i MOSFET mSiC® garantiscono un diodo di corpo stabile, lunga vita dell'ossido e prestazioni di avalanche e corto circuito di livello superiore per migliorare affidabilità e disponibilità del sistema.

MOSFET discreti SiC ad alte prestazioni
Il nostro portafoglio mSiC® copre tensioni da 700 V a 3,3 kV ed è ottimizzato per stadi di potenza compatti ed efficienti in applicazioni esigenti come aerospaziale, mobilità elettrica, azionamenti industriali e convertitori per energie rinnovabili.

Caratteristiche

• Funzionamento a elevata temperatura di giunzione (Tj = 175°C) con minima variazione di RDS(on) su tutta la gamma
• Stabilità dell'ossido di gate leader di settore (< 100 mV di variazione Vth) e lunga durata dell'ossido di gate
• Robustezza in avalanche Unclamped Inductive Switching (UIS) (> 100k impulsi)
• Maggiore tempo di resistenza ai corto circuiti e comportamento stabile del diodo di corpo

Vantaggi

• Consente frequenze di commutazione maggiori e migliore efficienza di conversione
• Maggiore densità di potenza per sistemi più piccoli e leggeri
• Robustezza e affidabilità migliorate in condizioni difficili
• Riduce la necessità di dispositivi SiC ridondanti in molti progetti
• Minori esigenze di raffreddamento e riduzione del costo totale del sistema

Il nostro vantaggio

• Più fonti epi e due stabilimenti SiC per garantire l'approvvigionamento a lungo termine
• Valutazione UIS di avalanche senza pari e prestazioni robuste in cortocircuito
• Maggiore tempo di resistenza dell'ossido di gate pubblicato
• Pratica di obsolescenza guidata dal cliente per supportare i requisiti di ciclo di vita

Schede demo e di valutazione

• Scheda di valutazione driver di gate discreto a canale singolo (piattaforma di esempio)
• Scheda di valutazione half‑bridge (piattaforma di esempio)
• Strumento di valutazione rapida Power Motherboard — per misurazioni di perdite di conduzione/commutazione, test double‑pulse e analisi del convertitore

Applicazioni

• Mobilità elettrica e powertrain automotive (varianti AEC‑Q101 disponibili)
• Conversione di potenza per energie rinnovabili
• Aerospaziale e sistemi ad alta affidabilità
• Azionamenti motore industriali, trazione e alimentatori

Specifiche tecniche

• Gamma di tensione: 700 V a 3 300 V
• Temperatura massima di giunzione (Tj): supportata fino a 175°C
• Stabilità dell'ossido di gate: < 100 mV di variazione Vth durante la vita utile
• Durata dell'ossido: > 100 anni (caratteristica pubblicata)
• Robustezza avalanche (UIS): > 100k impulsi
• Diodo di corpo stabile e robusta capacità di resistenza ai corto circuiti
• Disponibili versioni per automotive (varianti qualificate AEC‑Q101)