- Design a basso rumore: meno di 2,0 keV (Si) a 0 pF
- Capacità di alta energia: fino a 2 x 106 MeV al secondo
- Ingresso FET, protetto da diodo
- Uscite indipendenti per energia e temporizzazione rapida
- Tempo di salita veloce inferiore a 3 ns a 0 pF
- Dimensioni ridotte
- In grado di funzionare in una camera a vuoto
Il preamplificatore d'ingresso a FET sensibile alla carica modello 2003BT è progettato per garantire prestazioni ottimali con i rivelatori al silicio, come i rivelatori PIPS (Passivated Implanted Planar Silicon) di Mirion e i rivelatori SSB (Silicon Surface Barrier) tradizionali. Funzionando come un convertitore di carica in tensione, l'unità accetta i portatori di carica prodotti nel rivelatore durante ogni evento nucleare assorbito. L'uscita fornisce quindi una tensione direttamente proporzionale alla carica raccolta, al ritmo di 0,45 V per pC. Ciò si traduce in un guadagno di 20 mV per MeV per i rivelatori al silicio a temperatura ambiente
Per l'uso tipico con rivelatori al silicio con polarizzazione positiva, l'uscita di energia estremamente lineare fornisce un impulso a polarità positiva ideale per la spettroscopia energetica. L'uscita di temporizzazione coincidente fornisce un impulso rapido differenziato a polarità negativa, ideale per la risoluzione degli eventi nucleari nel tempo
L'elevata capacità di carica del progetto è evidenziata da una capacità di energia superiore a 2 x 106 MeV al secondo, se utilizzato con rivelatori al silicio. Per sfruttare appieno una capacità di conteggio così elevata, è necessario utilizzare un amplificatore principale con una capacità di conteggio altrettanto elevata, come l'amplificatore Modello 2025 o Modello 2026
Il funzionamento di base del preamplificatore è indicato nello schema funzionale.
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