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MOSFET CDM22010-650

MOSFET - CDM22010-650 - Central Semiconductor
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Descrizione

DESCRIZIONE: Il SEMICONDUTTORE CENTRALE CDM22010-650 è un MOSFET di potenza a 650 Volt a canale N ad alta corrente, progettato per applicazioni ad alta tensione e a commutazione rapida come la correzione del fattore di potenza (PFC), l'illuminazione e gli inverter di potenza. Questo MOSFET combina la capacità di alta tensione con bassa rDS(ON), bassa tensione di soglia e bassa carica del gate. CODICE DI MARCATURA: CDM10-650 APPLICAZIONI: - Correzione del fattore di potenza - Azionamenti a motore - Inverter per energie alternative - Illuminazione a stato solido CARATTERISTICHE: - Capacità di alta tensione (VDS=650V) - Bassa carica del cancello (Qgs=8.0nC) - Basso rDS(ON) (0,88Ω)

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Cataloghi

CDM22010-650
CDM22010-650
4 Pagine

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