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Caratteristiche
Specificazioni
SiC
Materiale
carburo solido
Descrizione
CENTRAL SEMICONDUCTOR CDMS24720-120 è un MOSFET a canale N in carburo di silicio progettato per applicazioni di commutazione ad alta velocità e recupero inverso rapido.
MARCATURA: CDMS247
20-120
* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.