MOSFET in silicio CDMSJ22010-650

CENTRAL SEMICONDUCTOR CDMSJ22010-650 è un MOSFET di potenza a canale N da 650 Volt ad alta corrente, progettato per applicazioni ad alta tensione e a commutazione rapida come la correzione del fattore di potenza (PFC) e i caricabatterie. Questo MOSFET combina la capacità di alta tensione con un basso rDS(ON), una bassa tensione di soglia e una bassa carica di gate. MARCATURA: CDMSJ 10-650 APPLICAZIONI: - Correzione del fattore di potenza - Alimentazione TV - UPS - Caricabatterie PD - Adattatore CARATTERISTICHE: - Capacità di alta tensione (VDS=650V) - Bassa carica di gate (Qgs=4nC) - Basso rDS(ON) (0,39Ω)