Sistema di test di invecchiamento Hatina WLBI

termicodi prestazionedi invecchiamento accelerato

Presentazione del prodotto
Hatina WLBI è una soluzione di Burn-In wafer-level (WLBI) e HTOL progettata per dispositivi di potenza su wafer. La camera di prova compatta (ingombro nominale 560×560×550 mm; scheda tecnica D×W×H 560×560×560 mm) si collega ai prober per wafer standard per consentire il burn-in su wafer interi con elevata produttività parallela. I riscaldatori sono integrati su ciascun DUT per garantire un controllo termico locale preciso e a basso consumo (approccio senza forno), riducendo consumi e ingombro e semplificando l'integrazione con l'automazione.

Vantaggi principali

• Supporta tecnologie di potenza: Si, SiC e GaN
• Compatibile con wafer da 6, 8 e 12 pollici
• Consente burn-in su wafer intero e test accelerati di affidabilità
• Alta produttività parallela per test di ciclo di vita economicamente vantaggiosi
• Si integra con piattaforme di wafer prober standard

Funzionalità / Capacità operative

• Camera compatta di Burn-In a livello wafer progettata per interfacciarsi con prober standard
• Elevata produttività parallela: fino a 1600 siti di test simultanei
• Limiti elettrici per sito: fino a 1,2 kV e 2 mA
• Supporta configurazioni di test: burn-in funzionale, HTGB e HTRB
• Riscaldatori distribuiti integrati su ciascun DUT per controllo termico locale preciso e a basso consumo
• Progettazione compatibile con sala bianca e pronta per integrazione automatizzata

Note su parametri / varianti

• Func_Test: Sì
• HTGB: Sì
• HTRB: Sì
• BVDSs: possibile (futura revisione software uIDE)
• IDSx: possibile (futura revisione software uIDE)
• Vth: possibile (futura revisione software uIDE)
• Fino a 1600 die testati in un singolo touchdown sul wafer (3 endpoint per sito)

Specifiche tecniche

• Numero di siti di test: fino a 1600
• Dimensioni (D × W × H): 560 mm × 560 mm × 560 mm (scheda tecnica); camera compatta panoramica: 560×560×550 mm
• Alimentazione Drain HV: -50 V a 1,2 kV
• Alimentazione Gate: -50 V a +50 V
• Corrente durante test funzionale: 2 mA
• Corrente durante test HTRB: 2 mA
• Corrente durante test HTGB: 2 mA
• Tipi di test supportati: burn-in funzionale, HTGB, HTRB, WLBI (wafer intero)
• Compatibilità wafer: 6, 8 e 12 pollici