Piattaforma di test per semiconduttore FTI-1000 Flexible Power

Piattaforma di test per semiconduttore - FTI-1000 Flexible Power - Cosmic Equipment S.p.A.
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Caratteristiche

Altre caratteristiche
per semiconduttore

Descrizione

Panoramica
FTI‑1000 Flexible è una piattaforma ATE multisito, compatta e modulare, progettata per il collaudo ad alto mix di dispositivi discreti di potenza media in Si e GaN. Configurata per 8–16 siti, supporta fino a 1,2 kV e 100 A in un'architettura a ridotto ingombro, con risorse DC e AC indipendenti e misure complete quali caratteristiche DC, ΔVsd, carica di gate, resistenza di gate e commutazione induttiva.

Motivi / posizionamento
  • Adattabile per design — architettura modulare che consente rapida riconfigurazione per diversi package e requisiti di test.
  • Elevata produttività — configurazione base a 8 siti e sequenziamento di test ottimizzato per ridurre il tempo di ciclo in produzione mista.
  • Efficienza operativa — ingombro ridotto e cambi formato rapidi, adatto a R&D e produzione automatizzata.

Applicazioni
Test finale e caratterizzazione per dispositivi discreti automotive, industriali e wide‑bandgap (Si / GaN); validazione engineering, test UIS/avalanche e caratterizzazione di gate.

Integrazione & software
Apertura meccanica e modularità permettono compatibilità con handler pick‑and‑place, gravity‑feed e leadframe strip. Sviluppo e debug dei test sono gestiti tramite FTI Studio con acquisizione di forme d'onda, generazione automatizzata di datasheet, schmoo plotting e strumenti di analisi parametrica.

Note sul prodotto
L'architettura modulare Tester‑per‑Channel Board fornisce risorse AC e DC configurabili in un'unica piattaforma scalabile. Opzioni plug‑in e elementi meccanici/elettrici modulari permettono espansione (estensioni HV, moduli impulso alta corrente, digitizer, moduli misura Rg).

Specifiche tecniche
  • Famiglia piattaforma: FTI‑1000 Flexible
  • Numero siti di test: 8-16
  • Tensione massima di commutazione (AC / DC): 1,2 kV
  • Corrente massima di commutazione / DC: 100 A
  • Capacità energia cortocircuito: >10 J
  • Intervallo tensione di gate: ±25 V
  • Test parametrici DC (esempi): Rdson, Idon, Vce(sat), Vgs, Gfs, Igss, Idss, BVdss
  • Misure ossido gate e qualità: Rg, Cg, Qg
  • Indicatore qualità die‑attach termico: dVsd / Vgs
  • Metriche UIS / avalanche / diodo body: UIL, EAR, EAS
  • Canali digitali: opzione per 8 canali digitali indipendenti (IC Channel Board)
  • Opzioni resistenza di gate: 0, 10, 25, 50 Ω più R pluggable utente
  • Induttore di carico: induttori discreti pluggabili o box di induttanza selezionabile
  • Sorgente DC – tensione (HV): 1,2 kV; esempio range pilotaggio corrente HV: 25 mA
  • Capacità corrente nominale (DC/AC): 100 A
  • Dimensioni (complessive): 541 mm × 345 mm × 206 mm • Alimentatore: 345 mm × 176 mm × 103 mm
  • Software (FTI Studio): acquisizione forme d'onda, generazione automatizzata di datasheet, schmoo plotting, analisi parametri, creazione/debug programmi test
  • Compatibilità handling: pick‑and‑place, gravity‑feed, leadframe strip e altri handler automatizzati standard

Fiere

Fiere a cui parteciperà questo venditore

PCIM Expo & Conference
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9-11 giu 2026 Nuremberg (Germania)

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    Semicon
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    10-13 nov 2026 Munich (Germania)

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    * I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.