Memoria microchip NAND 69FxxG16

asincrona

Il flash NAND flash DDC 64, 128 e 256 Gb ad alta densità è dotato di un bus di larghezza x16. Questo flash NAND flash utilizza la tecnologia NAND a cella di livello singolo (SLC). Memorizzando 1 bit di dati per cella di memoria, SLC NAND offre capacità di lettura e scrittura veloce e tempi di avvio, eccellente resistenza e affidabilità. La tecnologia di imballaggio RAD-PAK, brevettata da DDC, incorpora la schermatura antiradiazioni nel pacchetto microcircuito. Elimina la necessità di schermatura della scatola, fornendo al tempo stesso la necessaria schermatura contro le radiazioni per tutta la vita in orbita o in missione spaziale. RAD-PAK fornisce una tolleranza di dose totale superiore a 100 krads(Si), a seconda della missione spaziale. Questo prodotto è disponibile con screening fino alla Classe S autodefinita della DDC Microelectronics. Alta densità 64, 128 o 256 Gb Supporta progetti a velocità più elevate con meno capacità/meno I/O da pilotare Interfaccia NAND Flash Tecnologia SLC (Single Level Cell) ONFI 2.2 Conforme a ONFI 2.2 Tensione d'esercizio VCC da 3.0 a 3.6V VCCQ da 1,7 a 1,95 V o da 3,0 a 3,6 V Dimensione pagina 8640 byte (8192 + 448 byte di riserva) Supporta algoritmi di correzione BCH esterni (correzione a 16 bit per 540 byte) Caratteristiche Archiviazione dati ad alta affidabilità per applicazioni spaziali esigenti Pacchetto ermetico in ceramica con schermatura TID integrata Classe E, I, H o K Velocità Fino al modo di cronometraggio asincrono 5 (50MT/sec) Gamma di temperatura -55°C a 125°C La resistenza 60.000 cicli tipici