Diodo SiC SI seriesSchottkySMDad alta velocità
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Caratteristiche
- Tecnologia
- Schottky
- Montaggio
- SMD
- Specifiche elettriche
- ad alta tensione, ad alta velocità
- Caratteristiche tecniche
- SiC
- Tensione inversa
650 V, 1.200 V
Descrizione
Applicazioni tipiche
Raddrizzamento di alte frequenze
Stadi di commutazione ad alta efficienza
Diodi di correzione del fattore di potenza
Diodi a ruota libera per inverter
Grado commerciale/industriale
Suffisso -Q: Conforme a AEC-Q101 ')
Suffisso -AQ: in qualifica AEC-Q101 l)
Caratteristiche
Bassa carica capacitiva
Commutazione estremamente veloce
Alta tensione inversa
Elevata dissipazione di potenza
Conforme alla direttiva RoHS (esenzione 7a),
REACH, Conflict Mineralsl)
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Cataloghi
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