Fotodiodo in silicio S series
a infrarossiUV

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Caratteristiche

Specificazioni
in silicio, UV, a infrarossi

Descrizione

Per la fotometria di precisione dall'UV al visibile; sensibilità soppressa nell'IR prossimo Caratteristiche - Elevata sensibilità all'UV: QE=75 % (λ=200 nm) - Sensibilità soppressa nel vicino IR - Bassa corrente di buio - Elevata affidabilità Specifiche tecniche - Area fotosensibile: 1,1 × 1,1 mm - Numero di elementi: 1 - Confezione : Metallo - Categoria del pacchetto : TO-18 - Raffreddamento : Non raffreddato - Tensione inversa (max.) : 5 V - Intervallo di risposta spettrale: da 320 a 1000 nm - Lunghezza d'onda di sensibilità di picco (tipica) : 720 nm - Fotosensibilità (tipica) : 0,36 A/W - Corrente di buio (max.) : 2 pA - Tempo di salita (tipico) : 0,15 μs - Capacità terminale (tip.) : 35 pF - Potenza equivalente al rumore (tipica) : 1,6×10-15 W/Hz1/2 - Condizioni di misura: Ta=25 ℃, Tip., Fotosensibilità: λ=720 nm, Corrente di buio: VR=10 mV, Capacità terminale: VR=0 V, f=10 kHz, se non diversamente specificato

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Fiere

Fiere a cui parteciperà questo venditore

ACHEMA 2024
ACHEMA 2024

10-14 giu 2024 Frankfurt am Main (Germania) Hall 11.1 - Stand F62

  • Maggiori informazioni
    * I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.