Sistema di incisione plasma ECR M-600/6000 series

per silicio

Il Conductor Etch System serie M-600/6000 è destinato all'incisione di trincee profonde di silicio di dispositivi di potenza utilizzati in sistemi mobili, elettrodomestici, automobili, treni, ecc. La tecnologia di incisione a bassa temperatura e la tecnologia di polarizzazione TM (Time Modulation), insieme alla sorgente di plasma ad alta densità ECR (Electron Cyclotron Resonance), garantiscono un processo pulito, profili di trincea superiori senza residui laterali e un'eccellente produttività. Diametro del wafer applicabile: 150 mm, 200 mm Configurazione del sistema: 2 etch+ 2 ash (max.)