Barra di diodi laser ad alta potenza JDL-BAB-TE series
ad onda continuaa onda quasi continuaa stato solido

Barra di diodi laser ad alta potenza - JDL-BAB-TE series - JENOPTIK AG - ad onda continua / a onda quasi continua / a stato solido
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Caratteristiche

Modo di funzionamento
ad onda continua, a onda quasi continua
Tecnologia
a stato solido
Spettro
ad infrarossi vicini, NIR, a banda larga
Applicazioni
per applicazioni mediche, per pompaggio ottico, per trasformazione di materiali, di alta potenza, di processo
Altre caratteristicfhe
ad alta potenza, a semiconduttore, a diodo
Potenza

Min.: 40 W

Max.: 500 W

Lunghezza d'onda

Min.: 760 nm

Max.: 1.060 nm

Descrizione

Barre laser ad alta potenza per applicazioni di pompaggio ottico e laser a diodi diretti (DDL) nel trattamento dei materiali, nella medicina o nel rilevamento Jenoptik è stata pioniera della tecnologia dei laser a diodi ad alta potenza e continua a fornire laser a diodi ad alta potenza ad emissione di bordo ad ampio raggio che emettono nella regione spettrale 760 nm - 1060 nm. Forniamo barre laser non montate in grado di funzionare in onda continua (cw), a impulsi duri (hp)*, a impulsi lunghi (lp)** e a quasi-continua (qcw) fino a 300 W (cw)/500 W (qcw) di potenza ottica di uscita. * hard-pulse si riferisce a cicli profondi da I = 0 a Imax @ ad es. tempi di accensione tON = 1 s e duty cycle del 50% ** long-pulse si riferisce al funzionamento con tempi di accensione tON ~ 5..100 ms e duty cycle > 1% Servizi per wafer epitassiali Epitassi di wafer Progettazione personalizzata di wafer epitassiali per dispositivi optoelettronici nel vicino infrarosso (NIR) I nostri servizi epitassiali rispondono all'esigenza di strutture Epi-wafer basate su substrati di GaAs e semiconduttori composti (Al, In, Ga) (As, P). Forniamo strutture di wafer epitassiali progettate su misura per una varietà di dispositivi optoelettronici operanti nell'intervallo spettrale 630 nm - 1200 nm, per l'ulteriore elaborazione a livello di wafer da parte dei nostri clienti, ad esempio in: Laser a emissione di bordi: barre laser ad ampia area e singoli emettitori Laser a emissione superficiale: laser a cavità verticale (esterna) a emissione superficiale (VCSEL, VECSEL) Diodi ad emissione di luce (LED): compresi i diodi superluminescenti (SLED) e i diodi ad emissione di luce a cavità risonante (RCLED) Fotorivelatori Il rigoroso monitoraggio dei processi e della qualità, la tracciabilità, la riservatezza e gli oltre 20 anni di esperienza nella crescita di Epi-wafer fanno di noi il vostro partner di fiducia per la progettazione di Epi-wafer personalizzati.

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* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.