Array di fotodiodi a valanga SAH Series

array di fotodiodi a valanga
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Caratteristiche

Specificazioni
a valanga

Descrizione

Simili ai fotomoltiplicatori, i fotodiodi da valanga vengono utilizzati per rilevare intensità luminose estremamente deboli. I Si APD sono utilizzati nell'intervallo di lunghezze d'onda da 250 a 1100 nm, e gli InGaAs sono utilizzati come materiale semiconduttore nei APD per l'intervallo di lunghezze d'onda da 1100 a 1700 nm. Array APD in silicone Gli array APD sono ora disponibili presso Laser Components, consentendo nuove applicazioni in LIDAR e ACC. La serie SAH Tipicamente utilizzati nei sensori TOF (Time-of-Flight) per la misurazione della distanza, ad esempio nelle applicazioni di rilevamento di sicurezza nel settore automobilistico, gli array APD lineari sono ora disponibili presso la Laser Components. Combinando fotodiodi in silicio a basso rumore e ad alta sensibilità in un assemblaggio monolitico, gli array sono stati ottimizzati per la gamma di lunghezze d'onda 800-900 nm. Ulteriori caratteristiche includono un basso coefficiente di temperatura e una distanza di soli 40 µm tra gli elementi. Gli array possono essere configurati in base alle esigenze del cliente in termini di numero e dimensioni degli elementi dell'array. Sono inoltre disponibili come standard array a 8, 12 o 16 elementi in un pacchetto DIL a 14 pin (schede tecniche disponibili). Gli array di matrici 2D sono attualmente in fase di sviluppo.

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* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.