Amplificatore RF HMC8412 series

microondedi potenzadi tensione

Bassa figura di rumore: 1.4 dB tipico Alimentazione positiva singola (auto polarizzata) Alto guadagno: ≤15,5 dB tipico Alto OIP3: ≤33 dBm tipico Conforme alle norme RoHS, 2 mm × 2 mm, LFCSP a 6 conduttori HMC8412TCPZ-EP Supporta applicazioni di difesa e aerospaziali (standard AQEC) Scarica la scheda tecnica di HMC8412TCPZ-EP (pdf) Range di temperatura militare (da -55°C a +125°C) Base di produzione controllata 1 sito di assemblaggio/test 1 sito di fabbricazione Notifica di modifica del prodotto Dati di qualificazione disponibili su richiesta V62/21602 Numero di disegno DSCC L'HMC8412 è un arseniuro di gallio (GaAs), un circuito integrato monolitico a microonde (MMIC), un transistor pseudomorfico ad alta mobilità elettronica (pHEMT), un amplificatore a basso rumore a banda larga che opera da 0,4 GHz a 11 GHz. L'HMC8412 fornisce un guadagno tipico di 15,5 dB, una figura di rumore tipica di 1,4 dB e un'intercettazione del terzo ordine di uscita tipica (OIP3) di ≤33 dBm, richiedendo solo 60 mA da una tensione di alimentazione a 5 V. La potenza di uscita saturata (PSAT) di ≤20,5 dBm tipica consente all'amplificatore a basso rumore (LNA) di funzionare come un driver dell'oscillatore locale (LO) per molti mixer bilanciati, in fase e quadratura (I/Q) o a reiezione di immagine di Analog Devices, Inc. L'HMC8412 dispone anche di ingressi e uscite che sono abbinati internamente a 50 Ω, rendendo il dispositivo ideale per applicazioni radio a microonde ad alta capacità basate sulla tecnologia a montaggio superficiale (SMT). L'HMC8412 è alloggiato in un LFCSP a 6 conduttori, 2 mm × 2 mm, conforme alle norme RoHS. Strumentazione di test Telecomunicazioni Radar e comunicazioni militari Guerra elettronica Aerospaziale