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- Fototransistor bipolare
- OSRAM Opto Semiconductors
Fototransistor NPN Metal Can TO18in silicio
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Caratteristiche
- Tipo
- NPN
- Altre caratteristiche
- in silicio
- Corrente
0,01 mA, 0,2 mA, 1,65 mA
Descrizione
Tempo di caduta
tf
8.0 µs
Tempo di salita
tf
8.0 µs
Intervallo spettrale della sensibilità tip.
λ10% min.
450 nm
λ10% max.
1100 nm
Area sensibile alla radiazione
A
0.11 mm²
Angolo del fascio
∢
110 °
Dimensioni
l
5.35 mm
w
5.35 mm
h
3.3 mm
Temperatura di esercizio
Top min.
-40 °C
Top max.
80 °C
Campi di applicazione
Industriale
Automazione di fabbrica
---
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