- Elettricità - Elettronica
- Componente Elettronico
- Fototransistor bipolare
- OSRAM Opto Semiconductors
Fototransistor NPN Metal Can TO18in silicio
Aggiungi ai preferiti
Confronta con altri prodotti
Caratteristiche
- Tipo
- NPN
- Altre caratteristiche
- in silicio
- Corrente
0,01 mA, 0,2 mA, 1,65 mA
Descrizione
Tempo di caduta
tf
8.0 µs
Tempo di salita
tf
8.0 µs
Intervallo spettrale della sensibilità tip.
λ10% min.
450 nm
λ10% max.
1100 nm
Area sensibile alla radiazione
A
0.11 mm²
Angolo del fascio
∢
110 °
Dimensioni
l
5.35 mm
w
5.35 mm
h
3.3 mm
Temperatura di esercizio
Top min.
-40 °C
Top max.
80 °C
Campi di applicazione
Industriale
Automazione di fabbrica
---
Cataloghi
Infrared Components
62 Pagine
SFH 464
14 Pagine
Altri prodotti OSRAM Opto Semiconductors
Photodetectors
Ricerche correlate
- Driver LED
- Diodo laser OSRAM
- Circuito integrato convertitore digitale
- Driver LED regolabile
- Diodo laser visibile
- Diodo laser a stato solido
- Driver LED chiuso
- Sensore di immagine CMOS
- Diodo laser continuo
- Diodo laser CW
- Diodo laser pulsato OSRAM
- Circuito integrato convertitore ADC
- Driver LED ad alto rendimento
- Diodo laser multimodale
- Sensore di immagine a infrarossi
- Sensore di immagine visibile
- Driver LED con PWM
- Diodo laser infrarosso
- Circuito integrato convertitore multivia
- Microchip digitale
* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.