Modulo MOSFET di potenza APV1111GVY

di commutazionea resistenza

Il driver ad alta potenza per MOSFET fotovoltaici di Panasonic è disponibile in un pacchetto di piccole dimensioni (SSOP) con una maggiore corrente di cortocircuito e tensione di drop-out al gate del MOSFET. In grado di pilotare MOSFET ad alta Vgs come i MOSFET SiC, questo driver è capace di elevate capacità di commutazione ad alte velocità di commutazione. La sostituzione di un relè elettromeccanico standard con PhotoMOS® può fornire ulteriori vantaggi come un ciclo di vita più lungo, una migliore resistenza agli urti e alle vibrazioni, una bassa resistenza On e un ciclo di vita teoricamente infinito. Questo rende i relè PhotoMOS® un'ottima soluzione per i sistemi di monitoraggio delle batterie, test e misurazioni, energia elettrica e mercati industriali. Pacchetto SSOP miniaturizzato Funzionamento MOSFET ad alta velocità Numero di parte APV1111GVY per alta corrente di uscita Bassa resistenza di accensione del MOSFET Numero di parte APV3111GVY per alta tensione di uscita Dimensioni ridotte del pacchetto Corrente di cortocircuito più elevata Tensione di drop out più elevata Alta velocità di commutazione Conforme a RoHS/REACH Risparmio di spazio sulla scheda Valutazioni di sicurezza più elevate Commutazione di MOSFET di qualità superiore Tempo di funzionamento ridotto