MOSFET RTV10180NT(D)
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Descrizione
DESCRIZIONE
Il RVT10180NT/D è un transistor ad effetto di campo MOS di potenza in modalità N-channel enhancement mode, prodotto utilizzando la tecnologia RongteLVMOS. Il miglioramento del processo e della struttura delle celle è stato studiato appositamente per ridurre al minimo la resistenza allo stato di funzionamento e fornire prestazioni di commutazione superiori.
Questo dispositivo è ampiamente utilizzato nel campo dei gruppi di continuità e nella gestione dell'alimentazione dei sistemi inverter.
CARATTERISTICHE
♦Low gate charge
♦Low Crss
♦Fast commutazione
♦Improved capacità dv/dt
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Mosfet power semi conductors
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