Forno a diffusione DOA-420
ad armadioper alte temperatureautomatico

forno a diffusione
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Caratteristiche

Funzione
a diffusione
Configurazione
ad armadio
Altre caratteristiche
per alte temperature, automatico, orizzontale
Temperatura massima

Max.: 1.100 °C
(2.012 °F)

Min.: 400 °C
(752 °F)

Descrizione

L'attrezzatura è utilizzata principalmente per il drogaggio e la formazione di giunzioni Pn su wafer di silicio nel processo di produzione di celle solari di silicio cristallino. Preparare la barca di quarzo e i wafer→ Inserire i wafer→ Caricamento dei wafer→ Scegliere la ricetta → Caricamento della barca→ Aspirazione del tubo→ Aumento della temperatura→ Ingresso dell'ossigeno→ Ingresso di BBBr3/BCL3→ Spingere dentro→ Trattamento DOA→ Scarico della barca→ Raffreddamento→ Test→ Scarico dei wafer - Diffusione del boro ad alta temperatura. - BBr3、BCL3. - Tecnologia brevettata. - Struttura unica della porta del forno a doppio strato annidato. - Tecnologia brevettata per il sistema di trattamento dei gas di scarico. - Meccanismo di spinta della barca del modulo integrale ad alta velocità. - Controllo automatico intelligente. - Software MES con diritto di proprietà intellettuale indipendente. - Funzioni complete di protezione dell'allarme di sicurezza come la prevenzione della sovratemperatura, la rottura della termocoppia e la collisione della barca. - Compatibile con la soluzione di fabbrica intelligente S.C.

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Fiere

Fiere a cui parteciperà questo venditore

Intersolar 2024
Intersolar 2024

18-21 giu 2024 Munich (Germania) Hall Vide - Stand A2.137

  • Maggiori informazioni
    * I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.