Sensore fotoelettrico sensore a riflessione diretta EP Series

sensore di tipo reflexa barrierarettangolare

Sensore fotoelettrico della serie EP, con certificazione CE, dimensioni comuni standard, in grado di sostituire il marchio internazionale a un prezzo conveniente; adozione di microchip importati, tempo di risposta rapido. Dimensione standard: Dimensione standard universale, che sostituisce molti marchi cinesi e internazionali; Filettatura metallica M3 incorporata per rafforzare il sensore; Adozione di un microchip importato per una maggiore velocità di risposta; Anti-interferenza: Algoritmo ottimizzato per evitare le interferenze, maggiore capacità di evitare le interferenze luminose ed elettromagnetiche; Adottando un design anti-interferenza, è possibile installare fino a due sensori uno accanto all'altro; Dotato di protezione contro l'inversione del collegamento in uscita per evitare guasti al cablaggio del sensore. Sensibilità regolabile: Tipo a tre fili, sensibilità regolabile, commutabile NO/NC; La regolazione dell'asse ottico è semplice e la deviazione tra l'asse ottico e l'asse meccanico è controllata entro ±2,5°. Parametri: - Distanza di rilevamento: a sbarramento: 2m, 6m, 20m a catarifrangente: 3m 100mm] Riflessione diffusa: 100mm,,600mm,300mm,20-200mm - Oggetto di rilevamento: Fascio di luce passante: > φ 12mm oggetto opaco Riflessione a posteriori: oggetto >φ75 mm Riflessione diffusa: oggetto opaco, semitrasparente, trasparente - Tempo di risposta: <1ms - Indicare l'angolo: 2 ~ 10° - Tensione di alimentazione: DC 12 ~ 24V - Consumo di corrente: a sbarramento: <35mA - Retro-riflessione: <10mA; riflessione diffusa: <25mA - Segnale di uscita: transistor NPN: corrente massima 80mA; tensione esterna 30V DC (uscita-0V); tensione residua <2v (con corrente 80mA), <1v (con corrente 16mA); - Transistor PNP: corrente massima 80mA; tensione esterna 30V DC (uscita+V); tensione residua <2v (quando corrente 80mA), <1v (quando corrente 16mA);