Macchina per deposizione di film sottili PD-1022/UD

Film di silicio amorfo intrinseco e drogato. Processi I gas precursori ionizzati depositano film sottili su un substrato. - Accensione rapida a radiofrequenza con una potenza di riflessione minima per una deposizione uniforme e stabile del film. - Alimentazione multipla matura e stabile in tecnologia RF compatibile con camere di processo anche di grandi dimensioni. - Il gas regolabile in continuo tra diffusore e substrato offre possibilità di processo flessibili. - Elevata produttività a costi relativamente bassi, con possibilità di progettazione di prodotti personalizzati. - Design modulare per facilitare l'installazione e la manutenzione, insieme al più alto protocollo di sicurezza dalla progettazione alla fabbricazione.