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Linea di rivestimento

Linea di rivestimento - Shenzhen S.C New Energy Technology Corporation
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Descrizione

Principio di rivestimento ·Deposizione per sputtering magnetronico (PVD). Caratteristiche ·Funzionamento a catodi multipli per lo strato di semina e per TCO in tandem a indice di rifrazione multiplo. Dimensioni dei wafer compatibili ·M10, M12/G12, Full / Half Cell.

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Inline Equipment Series

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