· Caratteristiche di processo a bassa pressione e a parete calda, con una maggiore uniformità del film e una buona compattezza.
· Processo LPCVD: i substrati caricati in modo denso hanno un effetto minimo sulla velocità di deposizione, con un’elevata capacità di carico in un unico tubo.
· Maggior numero di zone di temperatura per garantire in modo affidabile l’uniformità tra i wafer.
· Presa d’aria segmentata regolabile in modo indipendente per compensare l’effetto di riduzione del flusso d’aria.
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