Sensore di pressione relativa t011 TBAR-UHIVS
risonantein silicioMEMS

Sensore di pressione relativa - t011 TBAR-UHIVS - SIAP+MICROS - risonante / in silicio / MEMS
Sensore di pressione relativa - t011 TBAR-UHIVS - SIAP+MICROS - risonante / in silicio / MEMS
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Caratteristiche

Tipo
relativa
Tecnologia
in silicio, MEMS, risonante
Altre caratteristiche
di alta precisione, precalibrato
Gamma di pressione

Max.: 1,1 bar
(15,95 psi)

Min.: 0,5 bar
(7,25 psi)

Precisione

0,02 %

Stabilità a lungo termine

0,005 %, 0,01 %

Temperatura di processo

Max.: 60 °C
(140 °F)

Min.: -40 °C
(-40 °F)

Descrizione

TBAR-UHIVS / USDI12 è dotato di un trasduttore con tecnologia TERPS (Trench Etched Resonant Pressure Sensor), una tecnologia in cui la pressione viene misurata osservando la variazione di frequenza di un elemento al silicio risonante micro-lavorato. Il sensore è alloggiato in un’apposita scatola che garantisce una notevole resistenza alla polvere e ai liquidi, preservando ottimi standard di funzionamento anche in condizioni climatiche avverse e sfavorevoli. Viene eseguito un accurato processo di calibrazione mediante una camera climatica che consente di calibrare il sensore e adattarne il funzionamento a specifiche altitudini, in base alle reali condizioni ambientali di installazione. L’intera procedura viene condotta in modo accurato al fine di ottenere un elevato livello di precisione e ripetibilità della misurazione, rispetto alla temperatura di esercizio

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