Gate driver MOSFET 2CG-B
IGBT

Gate driver MOSFET - 2CG-B  - TAMURA CORPORATION OF CHINA LIMITED - IGBT
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Caratteristiche

Specificazioni
IGBT, MOSFET

Descrizione

Il modulo gate driver (driver core) è un prodotto che integra un alimentatore DC-DC e un circuito di pilotaggio. Supporta moduli di potenza fino a 2500 V. La bassa capacità di dispersione tra il primario e il secondario lo rende ideale per il pilotaggio di moduli di potenza SiC. Caratteristiche del prodotto Bassa capacità di accoppiamento: 12pF/ Riduzione del rumore di modo comune Protezione SC: Tempo di mascheramento del cortocircuito (tsc) / Regolabile fino a 1us. Adatto per moduli di potenza SiC Doppia protezione: DESAT, Soft turn off e Miller clamp Alta potenza di uscita: Potenza di uscita adatta per l'azionamento ad alta frequenza (4W/1ch) Applicazioni principali Generazione di energia solare Generazione di energia eolica Idrogeno Trasmissione e distribuzione di energia Macchine per saldatura Accumulo di energia (ESS) Centri dati Inverter di controllo motore Robotica Ascensori Veicoli commerciali/edilizi/agricoli Sistemi di ricarica EV La nuova generazione di gate driver si presenta con un'elevata tensione di isolamento (modulo da 1700 V) e un profilo basso, oltre alla tradizionale bassa capacità di dispersione.

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