Trasformatore di isolamento T60403-Fxxx series
a seccoper IGBTper driver di gate MOSFET

trasformatore di isolamento
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Caratteristiche

Funzione
di isolamento
Struttura
a secco
Applicazioni
per IGBT, per driver di gate MOSFET
Altre caratteristiche
compatto, a bassa perdita
Potenza elettrica

0 kVA
(0 hp)

Tensione primaria

0 V

Tensione secondaria

0 V

Descrizione

TRASFORMATORI D'AZIONE PER IGBT - VOLTAGE ISOLAMENTO 600 Vrms A 2000 Vrms Negli ultimi anni, l'elettronica di potenza ha avuto un'influenza decisiva sulla tecnologia di generazione, distribuzione e conversione dell'energia elettrica. I moderni semiconduttori consentono di controllare e convertire l'energia elettrica in modo rapido e sicuro con basse perdite. I fattori chiave per il progresso in questo campo sono i semiconduttori di potenza a spegnimento come gli IGBT (transistor bipolari a gate isolato), i MOSFET (transistor ad effetto di campo a semiconduttore in ossido metallico) e i GTO (tiristori a gate turn-off). I prodotti VAC contribuiscono in modo significativo al mantenimento dell'efficienza e della sicurezza nella commutazione dei semiconduttori e nella trasmissione di potenza a basse perdite. Frequenze di commutazione più elevate, tensioni di blocco più elevate e potenza di commutazione influenzano il modo in cui un semiconduttore viene attivato e controllato per consentire una commutazione sicura e semplice. I trasformatori di azionamento assicurano la separazione galvanica e forniscono anche il segnale di commutazione e/o l'energia per il circuito di azionamento dei semiconduttori.

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