Diodo a giunzione p-n

ad avvitamentodi potenzadi tensione

I sistemi di alimentazione di backup a volte richiedono l'OR delle batterie. Ad esempio, per mettere in funzione il sistema mentre la batteria principale è scarica. Quando le correnti sono basse, questa operazione può essere eseguita facilmente con un semplice diodo. Tuttavia, quando le correnti diventano più significative, la dissipazione di potenza in un diodo aumenta rapidamente a livelli inaccettabili a causa dell'inevitabile tensione in avanti del diodo. Senza contare che questa tensione in avanti spreca tra il 5 e il 10% della potenza disponibile (da una batteria a 12 V). Per questo motivo, è stato progettato questo blocco di diodi attivi "ideali". Il diodo è sostituito da un mosfet ad alta corrente. Senza tensione di lavoro, questo mosfet si comporta come un normale diodo. Dopo aver applicato la tensione, il driver del mosfet viene attivato. Il driver abilita il mosfet e regola la tensione in avanti a 30mV (30 volte inferiore a quella di un normale diodo), o alla tensione più bassa che può essere ottenuta con la corrente assorbita e la resistenza Rds del mosfet. Questa resistenza provoca una tensione in avanti di circa 1mV per Amp. Prestazioni: Per contestualizzare questo dato, i fili da 16 mm² e i loro terminali nella configurazione di prova da 60 A causano una caduta di tensione di 85 e 95 mV rispettivamente! La caduta di tensione attraverso il diodo, misurata sulle viti dei terminali, era di 73mV. Specifiche: Tensione inversa nominale 40V Corrente nominale 600A Pacchetto SOT-227 (ingombro 25x38 mm) Terminali a vite M4 adatti a terminali ad anello da 4 mm e 5 mm Isolamento elettrico verso la base metallica 2500VAC, 1 minuto Resistenza termica di giunzione con l'involucro metallico (RθJC) 0,21°C/W () * Resistenza termica di giunzione verso l'ambiente (RθJA) ~20°C/W () * Temperatura massima di giunzione 175°C Tensione minima di lavoro 8VDC Resistenza di drain-source (Rds) 0,001Ω