Disco di ceramica

nitruro di alluminiodi isolamento

Grazie alle sue proprietà di isolamento elettrico e di eccellente conducibilità termica, la ceramica al nitruro di alluminio (AlN) è ideale per le applicazioni che richiedono la dissipazione del calore. Inoltre, poiché offre un coefficiente di espansione termica (CTE) vicino a quello del silicio e un'eccellente resistenza al plasma, viene utilizzata per i componenti delle apparecchiature di lavorazione dei semiconduttori.Buone proprietà meccaniche, maggiore resistenza alla flessione rispetto alle ceramiche Al2O3 e BeO, elevata resistenza alla temperatura e alla corrosione.Elevata conducibilità termica combinata con buone caratteristiche di isolamento elettrico.Eccezionale stabilità se esposta a molti sali fusi.Stabilità termica fino ad almeno 1500°CCaratteristiche meccaniche favorevoli che si estendono alla gamma di temperature elevate.Bassa espansione termica e resistenza agli shock termici.Speciali caratteristiche ottiche e acustiche.ProprietàValoreColore grigio scuroContenuto principale96%ALNDensità apparente(g/cm3)3,335Assorbimento d'acqua0,00Flessibilità(MPa)382,70Costante dielettrica(1MHz)8..56Coefficiente di espansione termica lineare (/℃，5℃/min, 20-300℃)2,805*10-6Conduttività termica (30 gradi Celsius)>=170Durata chimica (mg/cm2)0,97Resistenza agli urti termiciNessuna crepaResistenza volumetrica (Ω.cm) (20 gradi Celsius)1,4*1014Capacità dielettrica (KV/mm)18.45Rugosità superficiale Ra (μm) 0,3-0,5Camera (lunghezza ‰）<=2‰Stampaggio a iniezione della ceramicaStampaggio a iniezione a bassa pressionePressatura isostatica a freddoPressatura a seccoFusione a nastroLavorazione di precisione Dissipatori di calore in ceramica AlN per sistemi ad alta potenza Crogiolo AlN, piatto di evaporazione Al e altre parti resistenti alla corrosione ad alta temperatura.Substrati di rame a legame diretto (DBC)AlN Ceramic RodALN Ceramic WaferALN Ceramic SubstrateAlN Ceramic HeaterCustom ShapeComponenti per apparecchiature a semiconduttoreIC packagingSubstrato di modulo termicoSubstrato di modulo di transistor ad alta potenzaSubstrato di dispositivo ad alta frequenzaBordo di isolamento esotermico per moduli di tiristoriLaser a semiconduttore, substrato fisso per diodo ad emissione luminosa (LED) Modulo integrato ibrido, modulo per dispositivo di accensioneUtilizzato nella sinterizzazione di ceramiche strutturali Crogiolo di AlN per la fusione di metalli e sigarette elettronicheApplicato a materiali luminosiApplicato al materiale di supportoIl nitruro di alluminio (AlN) ha un bandgap diretto massimo di 6.2eV, con un'efficienza di conversione fotoelettrica superiore a quella di un semiconduttore a bandgap indiretto. Essendo un importante materiale luminescente blu e ultravioletto, l'AlN è utilizzato nei diodi emettitori di luce ULTRAVIOLET/deep ultraviolet, nei diodi laser ultravioletti e nei rilevatori ultravioletti. Inoltre, l'AlN può formare soluzioni solide continue con composti di nitruri del gruppo III, come il GaN e l'InN, e le sue leghe di tre o quattro elementi possono ottenere un band gap sintonizzabile in modo continuo dalla banda del visibile a quella dell'ultravioletto profondo, rendendolo un importante materiale luminescente ad alte prestazioni. I cristalli di AlN sono substrati ideali per i materiali epitassiali GaN, AlGaN e AlN. Rispetto ai substrati di zaffiro o SiC, l'AlN presenta una maggiore corrispondenza termica e compatibilità chimica con il GaN e una minore tensione tra il substrato e lo strato epitassiale. Pertanto, il cristallo di AlN come substrato epitassiale GaN può ridurre notevolmente la densità di difetti nel dispositivo, migliorare le prestazioni del dispositivo e ha una buona prospettiva di applicazione nella preparazione di dispositivi elettronici ad alta temperatura, ad alta frequenza e ad alta potenza. Inoltre, il substrato del materiale epitassiale AlGaN con il cristallo di AlN come componente ad alto contenuto di Al può ridurre efficacemente la densità di difetti nello strato epitassiale di nitruro e migliorare notevolmente le prestazioni e la durata dei dispositivi a semiconduttore di nitruro.Specifiche regolari del substrato ceramico ALN: lunghezza e larghezza: 25,4 mm; 50,8 mm; 63,5 mm; 76,2 mm; 101,6 mm; 114,3 mm; 127 mm; 152,4 mm; spessore: 0,25 mm; 0,5 mm; 0,63 mm; 1 mm; 1,5 mm; 2 mm.Buone proprietà meccanicheResistenza alla flessione più elevata rispetto alle ceramiche Al2O3 e BeOElevata resistenza alla temperatura e alla corrosioneElevata conducibilità termica con buon isolamento elettricoEccezionale stabilità con i sali fusiStabilità termica fino a 1500°CBassa espansione termica e resistenza agli shock termiciSpeciali caratteristiche ottiche e acusticheColore: Grigio scuroContenuto principale: 96%ALNDensità di massa: 3.335 g/cm³Assorbimento d'acqua: 0.00Flessibilità: 382,70 MPaCostante dielettrica: 8,56 (1MHz)Coefficiente di espansione termica lineare: 2,805*10^-6 (/℃, 5℃/min, 20-300℃)Conduttività termica: ≥170 (30°C)Durabilità chimica: 0,97 mg/cm²Resistenza agli shock termici: Nessuna crepaResistenza volumetrica: 1,4*10^14 Ω.cm (20°C)Rigidità dielettrica: 18,45 KV/mmRugosità superficiale Ra: 0,3-0,5 μmCamera (lunghezza ‰): ≤2‰