Diodi ad alta velocità ROHM Semiconductor

Tensione diretta: 1,5 V - 3 V
Tensione inversa: 600, 1.250, 650 V

... I diodi a recupero rapido di Renesas offrono tempi di recupero rapidi per la rettifica in applicazioni ad altissima frequenza. ...

Tensione inversa: 600 V

... Descrizione I diodi Qspeed™ hanno il QRRR più basso di qualsiasi altro diodo al silicio. Le loro caratteristiche di recupero aumentano l'efficienza, riducono l'EMI ed eliminano gli snubber. Caratteristiche del prodotto Caratteristiche Ora ...

Tensione inversa: 650 V

... recupero più breve, per consentire la commutazione ad alta velocità. CARATTERISTICHE: Tempo di recupero più breve Ridotta dipendenza dalla temperatura Possibilità di commutazione ad ...

Tensione diretta: 5, 3,3 V
Tensione inversa: 4,5 V - 6,2 V

... Bassa tensione di serraggio Design robusto Capacità molto bassa Design Flow Thru per un layout semplice Protezione Rail to Rail Resistente alla fiamma epossidica UL94-V0 RoHS, REACH e assenza di alogeni Applicazioni Linee dati molto ...

Tensione diretta: 100 V
Tensione inversa: 100 V

... Il SEMICONDUTTORE CENTRALE CMR2U-01 serie2,0 Amp a montaggio superficiale in silicio a recupero ultra rapido è un componente altamente affidabile progettato per essere utilizzato in tutti i tipi di applicazioni commerciali, industriali, ...

Tensione inversa: 85 V - 250 V

... segnale, raddrizzamento, commutazione (ad alta velocità) Suffisso -C: Grado commerciale Nessun suffisso: Grado industriale Suffisso -Q: Conforme ad AEC-Q101*) Suffisso -AQ: conforme a AEC-Q101 x) Caratteristiche Velocità ...

Tensione diretta: 12 V
Tensione inversa: 12 kV

... Di piccole dimensioni, facile da installare, adatto alla produzione automatica. 3. Caratteristiche di commutazione ad alta velocità, ambientale progettazione del processo di protezione, in linea con ...