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Diodi di commutazione ROHM Semiconductor
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Tensione inversa: 650 V
... Tempo di recupero più breve, per consentire la commutazione ad alta velocità. CARATTERISTICHE: Ridotta dipendenza dalla temperatura Possibilità di commutazione ad alta velocità Elevata ...
ROHM Semiconductor
Tensione inversa: 650 V
... Tempo di recupero più breve, per consentire la commutazione ad alta velocità. CARATTERISTICHE: Ridotta dipendenza dalla temperatura Possibilità di commutazione ad alta velocità Elevata ...
ROHM Semiconductor
Tensione inversa: 650 V
... Tempo di recupero più breve, per consentire la commutazione ad alta velocità. CARATTERISTICHE: Ridotta dipendenza dalla temperatura Possibilità di commutazione ad alta velocità Elevata ...
ROHM Semiconductor
Tensione inversa: 1.200 V
... Perdita di commutazione ridotta, per consentire una commutazione ad alta velocità . (pacchetto a 2 pin) ・Tempo di recupero più breve ・Dipendenza dalla temperatura ridotta ・Possibilità ...
ROHM Semiconductor
Tensione diretta: 600 V
Tensione inversa: 600 V
... altissima velocità, a basso VF e adatti a un significativo aumento dell'efficienza dell'alimentazione a commutazione e alla riduzione della perdita di commutazione. prodotto in confezione TO-220. alta ...
ROHM Semiconductor
Tensione diretta: 600 V
Tensione inversa: 600 V
... altissima velocità, a basso VF e adatti a un significativo aumento dell'efficienza dell'alimentazione a commutazione e alla riduzione della perdita di commutazione. prodotto in confezione TO-220 ad alta ...
ROHM Semiconductor
Tensione diretta: 600 V
Tensione inversa: 600 V
... altissima velocità, a basso VF e adatti a un significativo aumento dell'efficienza dell'alimentazione a commutazione e alla riduzione della perdita di commutazione. prodotto in confezione TO-220. alta ...
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