Spettrometro di massa SIMS 4550

di massa di ioni secondariper l'industria dei semiconduttoriPMT

Profilatura di profondità Dopant SIMS Quadrupolo SIMS e analisi dello strato sottile nei semiconduttori Il CAMECA SIMS 4550 offre funzionalità estese per la profilatura di profondità ultrabassa, misure di microelementi e di composizione di strati sottili in Si, highk, SiGe e altri materiali composti come il III-V per dispositivi ottici. Alta risoluzione di profondità e alta produttività Con le dimensioni sempre più piccole del dispositivo, i profili dell'impianto e lo spessore dello strato dei semiconduttori odierni sono spesso nell'intervallo di 1-10 nm. Il SIMS 4550 è stato ottimizzato per questi campi di applicazione offrendo un fascio primario di ossigeno e cesio ad alta densità con energia di impatto programmabile da 5keV fino a meno di 150eV. Flessibilità SIMS 4550 del CAMECA è uno strumento SIMS dinamico che offre la massima flessibilità in condizioni di sputter (angolo di impatto, energia, specie). Con opzioni dedicate per la compensazione della carica (cannone elettronico, laser) durante lo sputtering del campione, i materiali isolanti possono essere facilmente analizzati. Il SIMS 4550 misura lo spessore dello strato, l'allineamento, l'ermeticità, l'integrità, l'uniformità e la stoechiometria. I portacampioni possono ospitare una varietà di campioni: piccoli pezzi di pochi mm² fino a 100 mm di diametro del campione.