Macchina di trattamento di superficie plasma EVG®810LT LowTemp™

Il sistema di attivazione al plasma EVG810LT LowTemp™ è un'unità singola, autonoma, a camera singola, con funzionamento manuale. La camera di processo consente processi ex situ (i wafer vengono attivati uno per uno e incollati all'esterno della camera di attivazione del plasma). Caratteristiche Attivazione al plasma superficiale per l'incollaggio a bassa temperatura (incollaggio a fusione/molecolare e strato intermedio) La cinetica più veloce di qualsiasi meccanismo di incollaggio dei wafer Non sono richiesti processi ad umido Massima forza di adesione a basse temperature di ricottura (fino a 400°C) Applicabile per SOI, MEMC, semiconduttori compositi e incollaggio di substrati avanzati Elevata compatibilità dei materiali (incluso CMOS) Dati tecnici Diametro della cialda (dimensione del substrato) 50 - 200, 100 - 300 mm Camera di attivazione al plasma LowTemp Gas di processo: 2 gas di processo standard (N2 e O2) Regolatore di flusso di massa universale: autocalibrazione (fino a 20.000 sccm) Sistema del vuoto: 9x10-2 mbar Apertura/chiusura della camera: automatizzata Carico/scarico della camera: manuale (wafer/sottostrato posizionato sui perni di carico) Caratteristiche opzionali Mandrino per wafer di diverse dimensioni Attivazione senza ioni metallici Ulteriori gas di processo con miscelazione di gas Impianto ad alto vuoto con pompa turbo: 9x10-3 mbar pressione di base