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Diodi di raddrizzamento
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Tensione inversa: 1.200 V
... nelle alimentazioni ausiliarie flyback
VISHAY
Tensione diretta: 280, 380, 330, 340 V
Tensione inversa: 4.500, 5.500, 6.000 V
Diodes can be subdivided into two main classes: Rectifier diodes (standard recovery) and fast diodes. Rectifier diodes are generally used for conversion of AC (alternating current) to DC (direct current). While optimized for low conduction losses, Rectifier ...
Tensione diretta: 30 V - 200 V
Tensione inversa: 0,4 V - 0,9 V
... convertitori DC-DC. Sono utilizzati in numerose funzioni automobilistiche come LDC (Low Voltage DC-DC), così come nei circuiti di raddrizzamento secondario, OBC, LLC, forward active clamp o phase shift. Questi prodotti dedicati funzionano ...
STMicroelectronics
Tensione diretta: 0,23 V - 1,18 V
Tensione inversa: 2 V - 250 V
... Diodi e raddrizzatori schottky a bassa e alta corrente. ...
ON Semiconductor
... I diodi di rumore di Noisecom sono gli elementi fondamentali dei sistemi di rumore analogici. Sono classificati per caratteristiche di prestazione che ne migliorano l'emissione di rumore a banda larga e la risposta spettrale piatta. Tutti i diodi di rumore ...
... Configurazione: Bidirezionale Descrizione/ Controlli: 1500W, 100V, 10%, bidirezionale, TVS Famiglia:TVS IPP (A): 10,9 IR (µA):1 PPK (W):1500 Pacchetto:DO-201 Stato:Attivo TJ Max. (°C):175 Tolleranza ± (%):10 VBR Max. (V):110 VBR Min. (V):90 VBR Nom. (V):100 VClamp ...
Tensione diretta: 3,3 V - 39 V
... DIODO ZENER di ALIMENTAZIONE del SUPPORTO della SUPERFICIE 3.0W Caratteristiche e benefici dispersione di alimentazione 3.0W Soddisfatto Nel migliore dei casi per l'Assemblea automatizzata 3.3V - gamma nominale di tensione di 39V ...
Diodes Incorporated
Tensione diretta: 200 V - 1.000 V
Tensione inversa: 200 V - 1.000 V
... DESCRIZIONE: Il SEMICONDUTTORE CENTRALE Serie CMMR1 di Raddrizzatori ad alta densità di corrente, in un SOD-123F pacchetto a montaggio superficiale sono progettati per tutti i tipi di computer commerciali, industriali e automobilistici applicazioni. ...
Central Semiconductor
Tensione diretta: 4 V
Tensione inversa: 40, 45, 100 V
... Raddrizzamento dell'uscita, protezione della polarità Applicazioni tipiche Dispositivi alimentati a batteria Raddrizzamento dell'uscita in Convertitori CC/CC Protezione dalla polarità Diodi a ruota libera Grado commerciale Suffisso ...
Diotec
Tensione diretta: 0,38 V - 0,95 V
Tensione inversa: 20 V - 200 V
... Gamma di tensione di distanziamento inverso da 1.000 V a 20.000 V Gamma media di corrente rettificata a termine da 0,2A a 0,75A ...
Frontier Electronics, Corp.
Tensione diretta: 10 V - 45 V
Tensione inversa: 8 kV - 15 kV
... ※Caratteristiche: Caratteristiche di commutazione ad alta velocità, TRR 50-150ns. Basse perdite, resistente alle sovratensioni, resistente agli urti. Ottime caratteristiche di protezione contro la caduta di tensione delle valanghe. ...
Anshan Suly Electronics Co., Ltd.
Tensione diretta: 1,2, 1,8 V
Tensione inversa: 400 V - 1.000 V
... ENERGITM nella struttura a perno, è un dispositivo a semiconduttore sostitutivo, analogico, alternativo ed equivalente per il diodo SKN 2F50/04 Semikron. Corrente media di andata IF(AV) – 50 ampere, tensione inversa di picco ripetitiva ...
AS ENERGI GLOBAL LLC
... I prodotti dei diodi di tecnologie di Avago' includono il PERNO e diodi dello Schottky per un'ampia varietà di applicazioni di microonda compresi WLAN, WiMAX, l'infrastruttura, microtelefono, SatCom (LNB/DBS-CATV), automobilistico, militare, prova & misura, ...
Tensione diretta: 12 V
Tensione inversa: 12 kV
... Caratteristiche del prodotto 1. Basse perdite, resistenza all'urto, rottura da valanga protezione, ecc. 2. Di piccole dimensioni, facile da installare, adatto alla produzione automatica. 3. Caratteristiche di commutazione ad alta velocità, ambientale progettazione ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Tensione inversa: 20 kV
... E' UN PO' TROPPO TARDI: L'assemblea del raddrizzatore del silicio ad alta tensione del silicio di Rongtech è fatta del chip della cialda del silicio di alta qualità e della struttura di sigillamento dell'epossiresina di alta affidabilità e con l'ispezione ...
Tensione diretta: 5 V
... - Materiale basato sul nitruro di gallio - Fotodiodo di tipo Schottky - Funzionamento in modalità fotovoltaica - Buona cecità visibile - Elevata reattività e bassa corrente di buio - Polimerizzazione UV - Sterilizzazione UV - Spettroscopia ...
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