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... La serie RBxx8 della ROHM di diodi a barriera Schottky utilizza uno speciale metallo ottimizzato per ambienti ad alta temperatura, che si traduce nel più basso IR del settore. Inoltre, anche ad alte temperature si evita lo slittamento ...
ROHM Semiconductor
Tensione diretta: 0,3 V - 1 V
Tensione inversa: 20 V - 150 V
... I diodi barriera ROHMs schottky per il settore automobilistico sono a bassa VF, bassa IR e alta resistenza ESD (corrisponde a AEC-Q101). Allineamento del pacchetto ::ITALIAN SUBS ADDICTED:: [] ::ITALIAN SUBS ADDICTED:: [] ::ITALIAN ...
ROHM Semiconductor
Tensione diretta: 0,37 V - 1 V
Tensione inversa: 30 V - 150 V
... La linea ROHM Small Signal Type Schottky Barrier Diodes (Io<0.5A) è caratterizzata da un'elevata resistenza ESD e IFSM con VF e IR bassi contemporaneamente. Caratteristiche superiori a basso VF, basso IR. L'ottimizzazione delle condizioni ...
ROHM Semiconductor
Tensione diretta: 12 V
... I diodi prodotti da Zener sono fabbricati in una valanga di silicio proprietaria, utilizzando tecnologie avanzate che proteggono ciascuno dei pin I/O, fornendo un elevato livello di protezione per varie apparecchiature elettroniche che ...
Littelfuse
Tensione diretta: 9,2 V - 748,65 V
Tensione inversa: 5 V - 440 V
... I diodi TVS della serie SMAJ sono diodi TV a montaggio superficiale costruiti per ottimizzare completamente lo spazio sulla scheda. Sono integrati con un dispositivo antistrappo e forniscono una buona capacità di bloccaggio. Questi diodi ...
Littelfuse
Tensione diretta: 13,3 V - 135 V
Tensione inversa: 12 V - 110 V
... La soluzione 8.0SMDJ High Voltage TVS Diode solution fornisce 8000W di dissipazione della potenza di picco dell'impulso in un pacchetto compatto DO-214AB SMC. Caratteristiche: - Fornisce una capacità di potenza di picco dell'impulso ...
Littelfuse
Tensione inversa: 650 V
... del fattore di potenza - Inverter solari - Gruppi di continuità - Convertitori CC-CC 2. Caratteristiche (1) Progettazione di chip di seconda generazione. (2) Capacità di alta corrente di picco: IFSM = 79A (Max) (3) La ...
Toshiba America Electronics Components
Tensione diretta: 30 V - 200 V
Tensione inversa: 0,4 V - 0,9 V
... effetti un prodotto unico nel suo genere. È stato progettato per soddisfare numerose applicazioni e concetti di design. Il diodo è qualificato secondo lo standard AEC-Q101 ed è destinato a convertitori DC-DC utilizzati ...
STMicroelectronics
... Sia che stiate lavorando su un nuovo progetto, aggiornando un progetto esistente o acquistando la vostra distinta base, Fairchild vi fornisce raddrizzatori a ponte standard del settore, DIAC, diodi e raddrizzatori Schottky, piccoli diodi ...
Fairchild Semiconductor
Tensione inversa: 200 V - 1.000 V
... DESCRIZIONE: Il SEMICONDUTTORE CENTRALE Serie CMMR1 di Raddrizzatori ad alta densità di corrente, in un SOD-123F pacchetto a montaggio superficiale sono progettati per tutti i tipi di computer commerciali, industriali e automobilistici applicazioni. ...
Central Semiconductor
Tensione inversa: 200, 400, 600, 800 V
... DESCRIZIONE: I SEMICONDUTTORI CENTRALI della serie CMMR1U sono di alta qualità 1.0 Amp di silicio a montaggio superficiale Raddrizzatori, componenti ben costruiti, altamente affidabili, progettati per l'uso in tutti i tipi di applicazioni ...
Central Semiconductor
Tensione inversa: 200 V - 1.000 V
... intrattenimento, informatiche e automobilistiche. CARATTERISTICHE: - Selezioni speciali disponibili - Elevata affidabilità - Chip di vetro passivato - La struttura a "C" della curva fornisce un alleggerimento della deformazione ...
Central Semiconductor
Tensione inversa: 20 V - 2.000 V
... miniaturizzazione, è nata una nuova generazione di diodi a chip di Bourns che offre la capacità di fornire un diodo al silicio con un ingombro minimo. I diodi a chip a segnale piccolo ...
Tensione diretta: 21 V
Tensione inversa: 10 kV
... Caratteristiche del prodotto 1. Basse perdite, resistenza all'urto, rottura da valanga protezione, ecc. 2. Di piccole dimensioni, facile da installare, adatto alla produzione automatica. 3. Caratteristiche di commutazione ad alta ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Tensione diretta: 25 V
Tensione inversa: 12 kV
... Caratteristiche del prodotto 1. Basse perdite, resistenza all'urto, rottura da valanga protezione, ecc. 2. Di piccole dimensioni, facile da installare, adatto alla produzione automatica. 3. Caratteristiche di commutazione ad alta ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Tensione diretta: 29 V
Tensione inversa: 15 kV
... Caratteristiche del prodotto 1. Basse perdite, resistenza all'urto, rottura da valanga protezione, ecc. 2. Di piccole dimensioni, facile da installare, adatto alla produzione automatica. 3. Caratteristiche di commutazione ad alta ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Diodes Incorporated
Tensione diretta: 1,5 V - 3 V
Tensione inversa: 360 V - 1.250 V
... I diodi Renesas sono progettati e realizzati in modo inventivo per supportare le prestazioni ottimali dei dispositivi mobili leggeri e di piccole dimensioni. Questi diodi sono adatti anche per l'alimentazione di stabilizzazione della ...
Tensione diretta: 5, 20, 12, 7 V
... Caratteristiche Accensione rapida Bassa tensione di bloccaggio Elevata tensione di resistenza alle scariche elettrostatiche Protezione uni- o bidirezionale Piccolo pacchetto Resistente alla fiamma epossidica UL94 V-0 Applicazioni Alimentazione ...
Würth Elektronik eiSos
Tensione inversa: 200, 1.600 V
... Caratteristiche Trucioli di vetro passivato Elevata capacità di sovratensione Tensione di isolamento fino a 1600V Versione con catodo e anodo dello stallone Ampia gamma di corrente Conforme alla RoHS Applicazioni Caricabatterie Convertitore Alimentatori Comandi ...
Nell Power Semiconductor Co. Ltd.
Broadcom
Tensione diretta: 0,38 V - 0,95 V
Tensione inversa: 20 V - 200 V
Frontier Electronics, Corp.
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