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Tensione diretta: 650 V
Tensione inversa: 650 V
... Perdita di commutazione ridotta, per consentire una commutazione ad alta velocità . (pacchetto a 4 pin) Qualificato AEC-Q101 Bassa tensione in avanti Tempo di recupero/corrente trascurabile Comportamento di commutazione indipendente ...
ROHM Semiconductor
Tensione diretta: 150 V
Tensione inversa: 150 V
... RB058L150DD è un diodo a barriera Schottky per autoveicoli ad alta affidabilità, adatto per il raddrizzamento generale. Caratteristiche: Alta affidabilità Stampo di piccola potenza IR super basso ...
ROHM Semiconductor
Tensione diretta: 60 V
Tensione inversa: 60 V
... I diodi a barriera schottky di ROHM sono a basso VF, basso IR e alta resistenza alle scariche elettrostatiche, adatti per PC, telefoni cellulari e vari dispositivi elettronici portatili. Caratteristiche: ・ Tipo di stampo di piccola potenza ...
ROHM Semiconductor
Tensione diretta: 30 V
Tensione inversa: 30 V
... RBR1VWM30ATF è un diodo a barriera schottky a bassa VF e alta affidabilità, adatto per il raddrizzamento generale. Caratteristiche: Alta affidabilità Tipo di stampo di piccola potenza Basso VF ...
ROHM Semiconductor
Tensione diretta: 40 V
Tensione inversa: 40 V
... I diodi a barriera schottky di ROHM sono a bassa VF, bassa IR e alta resistenza alle scariche elettrostatiche, adatti per PC, telefoni cellulari e vari dispositivi elettronici portatili. tipo di stampo di piccola potenza (PMDS) alta ...
ROHM Semiconductor
Tensione diretta: 40 V
Tensione inversa: 40 V
... I diodi a barriera schottky di ROHM sono a basso VF, basso IR e alta resistenza alle scariche elettrostatiche, adatti per PC, telefoni cellulari e vari dispositivi elettronici portatili. Caratteristiche: ・Piccolo, tipo stampo di potenza ...
ROHM Semiconductor
Tensione diretta: 30 V
Tensione inversa: 30 V
... I diodi a barriera schottky di ROHM sono a basso VF, basso IR e alta resistenza alle scariche elettrostatiche, adatti per PC, telefoni cellulari e vari dispositivi elettronici portatili. CARATTERISTICHE: -PICCOLO, TIPO A STAMPO DI POTENZA ...
ROHM Semiconductor
Tensione diretta: 40 V
Tensione inversa: 40 V
... RBR1VWM40ATF è un diodo a barriera schottky a bassa VF e alta affidabilità, adatto per il raddrizzamento generale. Caratteristiche: Alta affidabilità Tipo di stampo di piccola potenza Basso VF ...
ROHM Semiconductor
Tensione diretta: 60 V
Tensione inversa: 60 V
... RBR1VWM60ATF è un diodo a barriera schottky a bassa VF e alta affidabilità, adatto per il raddrizzamento generale. ...
ROHM Semiconductor
Tensione diretta: 100 V
Tensione inversa: 100 V
... RBLQ3LAM10TF è un diodo a barriera Schottky ad alta efficienza, progettato per migliorare il compromesso tra bassa VF e bassa IR. Pur avendo una bassa VF, raggiunge un funzionamento stabile ad alte temperature. È ideale ...
ROHM Semiconductor
... Gli SMBJ28A sono progettati per proteggere i componenti elettronici sensibili da danni o latch-up dovuti a EOS, fulmini, CDE ed ESD. Sono caratterizzati da giunzioni di grande sezione per la conduzione di elevate correnti transitorie. ...
Tensione inversa: 45, 100, 150, 200 V
... 175°C Funzionamento TJ Modulo con presa al centro Bassa caduta di tensione in avanti Anello di protezione per una maggiore robustezza e affidabilità a lungo termine Senza piombo (Pb) Progettato e qualificato per il livello ...
Nell Power Semiconductor Co. Ltd.
Tensione inversa: 45, 100, 150, 200 V
... 175°C Funzionamento TJ Modulo con presa al centro Bassa caduta di tensione in avanti Anello di protezione per una maggiore robustezza e affidabilità a lungo termine Senza piombo (Pb) Progettato e qualificato per il livello ...
Nell Power Semiconductor Co. Ltd.
Tensione diretta: 2,6 V
Tensione inversa: 600 V
... DESCRIZIONE RFR30F60PN è un diodo di recupero super-veloce, realizzato con tecnologia epitassiale planare avanzata in silicio planare. Il parametro di processo e la struttura del dispositivo sono ottimizzati con prestazioni ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Tensione diretta: 0,9 V
Tensione inversa: 300 V
... DESCRIZIONE GENERALE RFR60F30APN è un diodo di recupero ultraveloce, realizzato con tecnologia epitassiale planare avanzata al silicio. Il parametro di processo e la struttura del dispositivo sono ottimizzati con prestazioni ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Tensione diretta: 1, 1,15 V
Tensione inversa: 400 V
... frequenza Bassa perdita di potenza, meno RFI e EMI Basso valore di IR Elevata capacità di sovratensione Costruzione del chip epitassiale ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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