Fotodiodi InGaAs

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fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs

... I fotodiodi e i LED di Jenoptik possono essere facilmente integrati nei sistemi esistenti o adattati alle applicazioni optoelettroniche, eliminando anche la necessità di filtri esterni. Fotodiodi e LED ...

fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
G15553 series

... - Area attiva G15553-003C: φ0,3 mm - Pacchetto miniaturizzato: 2 × 2 × 1 mm - Tolleranza di posizione precisa del chip: ±0,075 mm Il chip di questo prodotto non è sigillato ed è esposto. Parti come gli elettrodi sul chip non sono protette ...

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HAMAMATSU
fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
G12183-210KA-03

... Tipo a lunga lunghezza d'onda (lunghezza d'onda di taglio: 2,55 μm) Caratteristiche - Lunghezza d'onda di taglio: 2,55 μm - Raffreddamento TE a due stadi - Basso costo - Area fotosensibile: φ1 mm - Basso rumore - Alta sensibilità - Alta ...

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fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
G1-32 series

... Abbiamo sistemato il fotodiodo e la lente in posizioni ottimali, in modo che questo fotodiodo PIN InGaAs a ricettacolo riduca significativamente le riflessioni multiple all'interno del ...

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fotodiodo InGaAs
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C10439-15

... Integra fotodiodo per fotometria di precisione con amplificatore a basso rumore [Area fotosensibile: 2.4 × 2,4 mm (Si), φ1 mm (InGaAs), rilevatore bicolore integrato] I moduli di fotodiodi ...

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fotodiodo InGaAs
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G14858-0020AA

... APD InGaAs che riduce notevolmente la corrente scura Questo APD (fotodiodo a valanga) InGaAs riduce notevolmente la corrente scura rispetto ai prodotti esistenti grazie all'uso di una ...

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fotodiodo InGaAs
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G8931 series

... Il G8931-04 è un APD all'InGaAs che offre una risposta ad alta velocità di 2,5 Gbps, necessaria per le comunicazioni in fibra ottica su linea dorsale come SONET (rete ottica sincrona), G-PON (rete ottica passiva compatibile ...

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fotodiodo InGaAs
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XSJ-10-APD5-40

... Descrizione Questo chip per fotodiodi a valanga da 10Gbps (chip APD) è un tipo di struttura a elettrodi Ground-Signal-Ground (GSG), con dimensioni dell'area attiva illuminata dall'alto pari a Φ40μm. Le caratteristiche ...

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fotodiodo InGaAs
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XSJ-10-APD5-40S-X

... Descrizione Il chip del rivelatore ottico APD 10Gbps è la struttura dell'elettrodo GSG, per la parte anteriore nella luce del chip del rivelatore di luce a valanga ad alta velocità, la dimensione dell'area fotosensibile è 40um, le caratteristiche ...

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fotodiodo InGaAs
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XSJ-10-APD4-50

... Descrizione Il chip fotodiodo a valanga (chip APD) è un tipo di dispositivo attivo che fornisce un guadagno incorporato e amplifica la fotocorrente. Le caratteristiche di questo prodotto sono l'anodo sulla parte superiore ...

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fotodiodo InGaAs
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XSJ-10-D4-60

... Descrizione Questo chip fotodiodo da 3,1 Gbps è un chip fotodiodo digitale con struttura planare InGaAs/InP PIN e illuminato dall'alto, la cui dimensione dell'area attiva è di Φ60μm. ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
XSJ-10-APD4-50T

... Descrizione Il chip fotodiodo a valanga (chip APD) è un tipo di dispositivo attivo che fornisce un guadagno incorporato e amplifica la fotocorrente. Le caratteristiche di questo prodotto sono l'anodo sulla parte superiore ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
fotodiodo InGaAs
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XSJ-10-APD4-50G

... Descrizione Il chip fotodiodo a valanga (chip APD) è un tipo di dispositivo attivo che fornisce un guadagno incorporato e amplifica la fotocorrente. Questo prodotto è caratterizzato da un anodo sulla parte superiore ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
fotodiodo InGaAs
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XSJ-10-SPD-51

... Descrizione Questo chip fotodiodo ad alta sensibilità (chip super PD) ha una struttura planare InGaAs/InP. Le caratteristiche sono l'elevata reattività, la bassa capacità e la bassa corrente di buio, ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
fotodiodo InGaAs
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XSJ-10-D3-70-04

... Descrizione Questo chip fotodiodo da 2,5 Gbps è un chip fotodiodo digitale con struttura planare InGaAs/InP PIN e illuminato dall'alto, con un'area attiva di Φ70μm. Le caratteristiche ...

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XSJ-10-APD4-55-01

... Descrizione Il chip fotodiodo a valanga (chip APD) è un tipo di dispositivo attivo che fornisce un guadagno incorporato e amplifica la fotocorrente. Questo prodotto è caratterizzato da un anodo sulla parte superiore ...

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XSJ-10-M-200-01

描述 该正面入光型大光敏区InGaAs/InP PIN监视光探测器芯片,为平面结构,阳极在正面,阴极在背面,光敏区尺寸是Φ200μm,在980nm到1620nm波段范围内有很高的响应度,主要用于各种LD的后向光功率监测。 产品特点 基于n+ InP 衬底的平面结构 Φ200μm的光探测窗口 高响应度 低暗电流 低工作电压 -40℃到85℃的工作范围 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 100%测试和外观检测 客户化的芯片尺寸 应用领域 LD后向光功率监测

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fotodiodo a valanga
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... l sottoinsieme ottico ad alta affidabilità Lumentum 1310/1550 nm 10G XFP ROSA (ROSA), progettato specificamente per il ricetrasmettitore XFP, offre prestazioni eccellenti a temperature di funzionamento prolungate in applicazioni ad alta ...

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