Fotodiodo a valanga C30683

InGaAs

Panoramica
La serie C30683 integra un fotodiodo a valanga (APD) e un amplificatore transimpedenza (TIA) ad alta velocità in un package TO-8 ermetico per la rilevazione in condizioni di luce estremamente bassa. I modelli supportano APD in silicio e InGaAs, offrono bande passanti di sistema fino a 450 MHz, basso NEP e uscite differenziali per applicazioni ottiche e di misura avanzate.

Note principali sul prodotto

• Termistore integrato per il monitoraggio della temperatura dell'APD e compensazione della polarizzazione ad alta tensione per mantenere il guadagno stabile.
• Opzioni APD: Silicio (C30737, 500 µm) e InGaAs (C30645, 80 µm; C30662, 200 µm).
• Codici tipici: C30683-900-R5DH, C30683-1550-R08DH, C30683-1550-R2BH.

Caratteristiche

• APD integrato con primo stadio di guadagno in package TO-8 ermetico
• Scelta di rivelatori Silicio o InGaAs
• Banda di sistema fino a 450 MHz (variabile in base al modello)
• Capacità di carico 50 Ω AC (accoppiato in AC)
• Tensione di alimentazione dell'amplificatore: +3,3 V
• Uscita differenziale per reiezione del rumore

Applicazioni

• LiDAR e misurazione della distanza
• Comunicazioni ottiche in spazio libero
• Rilevazione a bassissima luce e strumentazione analitica
• Sensori di temperatura distribuiti (DTS)
• Microscopia confocale e strumenti di test fotonici

Specifiche tecniche

• Serie: C30683
• Package: TO-8 ermetico con APD integrato e primo stadio di guadagno
• Opzioni APD & dimensioni tipiche: Silicio (C30737, 500 µm); InGaAs (C30645, 80 µm; C30662, 200 µm)
• Responsività: fino a 550 kV/W (900 nm) o 120 kV/W (1550 nm), a seconda del modello
• NEP: fino a 37 fW/√Hz (dipende dal modello)
• Banda di sistema: fino a 450 MHz (dipende dal modello)
• Carico: 50 Ω AC (accoppiato in AC)
• Alimentazione amplificatore: +3,3 V
• Uscita: Differenziale
• Monitoraggio temperatura: termistore integrato per compensazione temperatura APD